金属有机源相关论文
本文通过MOCVDGaInP的生长速率,组分In的气相分配比与生长温度的关系,较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究,并研究了低温GaI......
利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长......
金属有机化学气相沉积法(MOCVD)能够在长的柔性金属基带上连续、快速、均匀沉积YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜,因而极具开发价值.MOCVD制......
本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。
In this paper, th......
利用与MOCVD系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Me2Zn和Pri2Te在反应器中热裂解行为。报告了纯态Me2Zn和Pri2Te及其混合物在H2和He气氛中的热裂解实验结果......
采用质谱技术实时研究了金属有机源DIPTe和DMCd在MOCVD反应器中热裂解的性质.着重分析了可能发生的气相反应及热裂解机理,并探讨了......
利用金属有机源化学气相沉积技术,通过改变受主掺杂源和导入氢气并提高生长压力来逐步抑制C的办法,在蓝宝石上外延了Mn,N共掺ZnO薄......
分子束外延不再仅是研究工具,它已日益被用来生产Ⅲ—Ⅴ外延层。MBE系统的用户正寻求增加可靠性、生产量和重复性。
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本文用MOCVD法研究了GaInP及其掺Zn材料的生长和特性,并进行了生长速率对生长动力学、Zn的掺杂效率、In的组分、表面形貌、电学性质的影响研究.
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本文讨论了影响生长速率的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸汽压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等。对实验结果进行了......
因其良好的液氮温度下的磁场性能、潜在的低制备成本和较低的交流损耗,第二代钇系YBa2Cu3O7-δ(YBCO)高温超导带材受到普遍关注,有着......
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