隧穿结相关论文
报道了对柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究结果。首先采用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在不锈钢柔性衬底上制备了微晶硅......
报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。......
为了改善非晶硅/微晶硅叠层电池的载流子输运效果,将隧穿结引入到具有中间层结构的叠层电池中,研究了隧穿结的结构、掺杂浓度、厚......
为提高p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅(a-Si/a-SiGe/μc-Si)三结叠层薄膜电池的效率，本文分别从透明导电窗口层、非晶硅顶电池......
本文在已有的单室VHF-PECVD技术制备pin型单结微晶硅电池的基础上，将产业化低成本单室非晶硅/非晶硅叠层电池升级到单室a-Si：H/a—Si......
本文针对所研制GaInP/(In)GaAs/Ge 三结叠层太阳电池光电流较低的问题，分别对底电池、中电池和顶电池进行了理论分析与设计。Ge 底......
五结叠层太阳电池以其较好的抗辐照性能、高电压低电流等特性,在国外已经开始积极研究.本文首先建立了五结电池模型,主要从电池新......
报道了对柔性村底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究结果.首先采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在不锈钢柔性衬底上制备了微晶......
非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用“喇叭口”结构.通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95～1.5 e......
在二带模型的基础上，借助于Ａｉｒｙ函数，利用传递矩阵方法，求出了隧穿结中的隧穿电导和隧穿磁阻随电场的变化关系，对实验现象给出了很好的解释......
在两带模型的基础上，计算了外电场下有限厚铁磁层隧道结中的隧穿磁电阻（ＴＭＲ），结果发现：隧穿磁电阻不仅随铁磁层厚度变化而振荡，而且在适当条......
以“金／1，4-二氰基甲苯分子（C6H4（CN）2）／金”隧道结为研究对象，从第一性原理出发，计算了电极距离和外部电压2个因素对隧道结电子隧穿特性的......
采用金属有机化合物气相淀积（MOVPE）技术生长用于GaInP／GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键......
黑磷是一种单元素二维层状半导体材料,具有p型导电占主导的双极导电特性,室温下空穴场效应迁移率达1000 cm2/V×s,远大于二硫化钼......
提高太阳电池的转换效率是人类利用和发展太阳能技术的主要追求目标，目前有望大幅度提高转换效率的一个最直接手段就是采用多结叠层......
AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表,具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)以及抗辐......
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电......
采用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在不锈钢柔性衬底上制备了不同厚度的硅基p^＋/n^＋隧穿结,应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分析......
<正>从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个......
采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂......
铁电材料在功能器件、智能结构等领域有着广泛的应用。随着器件的小型化和微型化,铁电材料纳米结构的研究受到了学术界和工业界越......
<正>专利是技术的书面形式,科技人员所研发的新技术一旦获批专利,就能在知识产权层面形成垄断:技术是企业的标签,决定了产品的市场......
碳化硅（SiC）以其宽禁带、高临界场强、高热导率、高临界位移能、高载流子饱和漂移速率特性等优异的物理和电学性能成为继Si、Ge、GaA......
利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质......
