Cu薄膜相关论文
程开甲改进的Thomas-Fermi-Dirac电子理论(简称TFDC)是继密度泛函理论(简称DFT)、余氏理论(简称EET)之后,对电子理论的又一次深入......
薄膜材料广泛应用于微电子机械系统及大规模集成电路等微/纳米系统中,但薄膜材料的力学性能与块体材料的力学性能之间有着很大区别......
随着半导体工艺技术的飞速发展,人们对功能材料的需求越来越大。目前,量子点和纳米晶体材料的制备技术已经发展到可以与玻尔激子半......
石墨烯是由碳原子Sp2杂化组成的单原子层二维蜂窝网状结构。自2004年第一次制备成功以来,石墨烯引起了科学家们极大的研究兴趣。由......
采用离子束辅助沉积方法在95％(质量比)Al2O3基板上制备Cu薄膜,利用热氧化法使Cu薄膜氧化,并与Al2O3基板反应,制备出CuAl2O4薄膜.通......
采用离子束溅射沉积了不同厚度的Co膜和Cu膜，利用四电极法测量了薄膜的电阻率，从而得到了Co膜和Cu膜的电导率随薄膜厚度的变化关系。......
研究了用强流金属蒸汽弧离子源（ＭＥＶＶＡ源）注入Ｃｒ对Ｃｕ薄膜的抗氧化性能、导电性能和氧化特征的影响。利用Ｘ射线衍射、Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射和扫描电镜 离子注入......
基于Monte Carlo模型,在理想基底上设置100×100的二维方形格,利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型,并模拟粒子的气相沉......
在确定Cu薄膜临界尺寸的基础上，选定基底温度、靶基距、溅射功率和工作气压为影响因素设计正交试验，研究了磁控溅射制备工艺对Cu薄膜......
随着集成电路的迅猛发展,微电子器件中金属互连布线的特征尺度已经进入亚微米、甚至纳米量级。互连线在制备和服役过程中通常受热......
使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜，并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构。实验结果表明：当基的片加热温度为100～150......
爆炸桥箔在冲击片雷管中扮演了最重要的角色,最常用的桥箔材料为铜。磁控溅射是目前冲击片雷管所用铜箔的最优制造工艺,而不同溅射......
提出并建立了一种基于方块电阻测量的原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律的方法.利用Cu薄膜方块电阻随氧化时间的变化情况,得到氧化......
根据薄膜的形成机理，用直流磁控溅射方法制备出了表面结构平滑、致密的Cu薄膜。实验中，采用纯度〉99．9％的铜靶，工作气压保持在2．7Pa不变，......
用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜.用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量.结果表明:在150℃溅射生长......
用磁控溅射法制备无种子层的Cu薄膜和加入Ti作为种子层的Ti/Cu薄膜,用电子背散射衍射技术(EBSD)研究了无种子层的Cu薄膜及有Ti种子......
利用磁控溅射技术,通过正交试验设计方法,在K9光学玻璃基底上制备了Cu薄膜,研究了溅射时间、基底温度和氩气流量对Cu薄膜光电性能......
为了研究激光辐照金属薄膜后的超快热化动力学过程，利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了Cu薄膜样品，同时取部分样品进行不同温度的退......
薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们通过理论和试验对薄膜的生长过程和机理进行了一系列的研究,但由于当代微观测试技......
AlN陶瓷具有高的热导率、热膨胀系数与硅等半导体材料相匹配、优异的电学性能及机械性能、无毒等优点,是一种理想的电子封装材料,......
采用直流磁控溅射法在不同溅射功率和工作气压条件下沉积Cu薄膜,对其进行X射线衍射、原子力显微镜、电阻率测试,分析了工艺参数对C......
