ITO靶材相关论文
ITO靶材通常用于制作透明导电薄膜，是半导体光伏、LCD/OLED显示器等领域不可或缺的原材料。文章综合评述了ITO靶材制备技术现状，介绍......
本文对以ITO靶材的国内外相关专利为研究对象，运用专利信息分析方法，深入分析ITO靶材的发展趋势、核心技术、竞争对手的专利布局情况......
采用注浆成型法在不同烧结参数下制备ITO靶材,研究不同氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响。通过X射线衍射（XR......
期刊
氧化铟锡(ITO)原料粉作为影响靶材制备的关键性因素,对所制备出的靶材质量有着重要影响,为了改善纳米氧化铟锡混合粉体的压制性能,......
本文对ITO靶材的主要生产工艺进行了简介、简述ITO靶材在平板显示行业里应用的重要要求。针对目前ITO靶材利用率不高的现状,提出了......
ITO陶瓷靶材的结瘤行为严重影响靶材的应用及其溅射薄膜性能,对结瘤的形成机理进行深入研究具有重要意义。针对不同参数设置的ITO......
针对一种进口和国产的ITO靶材,用AES(SEM、SAM)、XPS、UPS和XRD进行了比较研究,通过研究发现两种样品的差别,为提高国产靶材的质量......
以ITO气化粉和进口湿法粉作为原始粉,在相同的工艺条件下,制备出ITO靶材,对比研究了两种不同原始粉对烧结后靶材微观结构的影响,结......
以来自不同氧化铟锡(ITO)靶材生产企业(编号为进口A、进口B、国产A、国产B、自制A、自制B)的靶材为对比试样,通过将各试样粉碎、过......
微波烧结具有节能、缩短烧结周期等一系列优点,获得的材料表现出高致密度、组织均匀等特征,在近20年来备受关注。随着现代工业向高......
采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体。粉体模压成型得到素坯,在400～1550℃内采用烧......
本文介绍了稀有金属行业ITO靶材高温真空热压炉的设备组成、主要技术参数和结构特点,并指出了该设备在稀有金属行业ITO靶材制造行......
现在我国的ITO靶材市场发展的越来越快,因此受到了人们的普遍关注。本文对ITO靶材的应用范围进行了介绍,同时概括了其越来越大的市......
观察比较了两种热压工艺制造的ITO靶材的微观组织.观察结果显示:两种工艺制造的ITO靶材的微观组织大不相同.符合技术要求的靶材(试......
以平均粒径为30nm的ITO粉体为原料，添加少量聚乙烯醇（PVA）造粒，模压成形获得素坯，在氧气氛、1550℃烧结素坯制备IT0靶材。采用100～600MPa......
对国产与日本产两种ITO靶材进行全面的分析对比,并对ITO靶材的断口形貌与靶材黑化结瘤之间的关系进行了探讨.结果表明,国产靶材与......
随着电子工业的飞速发展，高性能、大尺寸的氧化铟锡（ITO）靶材需求量与日俱增。本文概述了ITO靶材的制造技术和应用，并对目前国内外ITO......
本文着重分析了ITO靶坯的各个干燥过程，以及干燥介质的温度、湿度、流量和流速还有使用的辅具对靶坯干燥的影响，并提出了提高干燥效......
本文分析了不同砂磨时间对ITO浆料颗粒粒度的影响,以及对靶材微观结构、相对密度、电阻率的影响。结果表明砂磨能有效地细化ITO浆......
株洲冶炼厂凭借本厂技术和人才优势，向社会推出ITO靶材的研制及其产业化项目。据介绍ITO膜由于具有对可见光透明、导电的特点，在透明......
对冷压大尺寸ITO靶材毛坯出现的靶材质量问题进行详细分析。实验表明:选用质量比为9∶1的In2O3与SnO2粉末。将粉末配成固含量65%的......
概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的加工技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶......
8月上旬，大连旅顺口区政府与中建材国际工程集团有限公司、大连交通大学在大连举行签约仪式，共建东北地区最大的光电应用材料产业基......
<正> 1 前言 铟锡氧化物(英语 indium tin oxide)简称ITO。成品ITO陶瓷靶色泽为墨绿色亚光,形状为圆片或矩形片,圆片尺寸一般为φ8......
随着显示技术的发展,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示屏逐步出现在各个显示领域。OLED与液晶显示器(Liqui......
Preparation of indium tin oxide targets with a high density and single phase structure by normal pre
现在的工作主要为准备氧化物(ITO ) 由冷均衡说的压指向的铟听(CIP ) 和正常压力 sintering 过程描述技术。ITO 粉末被化学一起沉......
采用单相的ITO复合粉末经放电等离子烧结法（SPS）快速制备了ITO靶材。研究了SPS的主要工艺参数对ITO靶材致密化的影响。结果表明：靶材......
本文报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改......
采用化学共沉淀制备分散性好,比表面为8-12m~2/g的单一相ITO粉,然后经粉浆浇注获得高强度生胚,在氧气气氛下经常压烧结得到高密度......
采用XRD、XPS对ITO固溶烧结前后物相结构及靶材表面In、Sn、O三元素价态进行表征和研究。结果发现:ITO固溶体中溶质与溶剂离子的半......
介绍了ITO靶材的各种性能及应用,综述了目前常用的几种靶材成形方法和烧结工艺以及他们的研究现状,并对ITO靶材今后的发展趋势进行......
以不同BET气化In2O3和SnO2粉(In2O3/SnO2=9:1)为原料,使用模压辅助冷等静压(CIP)成型的方法制备出ITO坯体,又在不同温度条件下烧结......
针对一种进口和国产的ITO靶材,通过磁控溅射方法,对靶材及所制备薄膜的结构、光学、电性能进行比较.结果表明,国产靶材样品的表面......
文章简要介绍了ITO薄膜的特性和应用，重点对ITO靶材的成形方法和烧结方法以及研究现状进行了阐述，探讨了ITO靶材制备的发展趋势。......
以自制的纳米ITO气化粉为原料,采用注浆成型工艺制备了不同SnO 2含量的ITO靶材,并采用不同烧结温度对SnO 2含量为10%(质量分数)的......
本文采用氧气氛无压烧结技术制备了高密度ITO靶材,对高密度ITO靶材的烧结过程进行了研究,分析了不同烧结条件下ITO靶材的微观组织......
采用单相ITO（indium tin oxide,铟锡氧化物）复合粉末,经过压制成形后,在纯氧气氛下微波烧结制备ITO靶材,研究烧结温度、保温时间和压......
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以ITO气化粉和进口湿法粉作为原始粉,在相同的工艺条件下,制备出ITO靶材,对比研究了两种不同原始粉对烧结后靶材微观结构的影响,结......
ITO靶材目前是金属铟消耗的主要去向,铟含量为74%,锡含量7.5%,矿石粒度破碎至160目。最终确定以下工艺条件:浸出剂HCl的浓度为7.0~......
ITO靶材中氧含量的理论值为 17 66% (重量百分比 )。在成型过程中 ,因工艺条件的不同 ,各类靶材会有不同程度的失氧 ,失氧量的多少......
以共沉淀ITO粉制备的陶瓷靶材为溅射靶，采用EDX、XRD、SEM研究了靶材在磁控溅射过程中“结瘤”的化学组分及物相组成，并对不同阶段“......
ITO靶材是平面显示器产业中必须用到的重要材料。随着平面显示器技术的发展，对ITO靶材性能的要求越来越高，这就需要有与之相适应的先......
ITO靶材是高端液晶显示器、太阳能电池、导电玻璃等领域的主要材料之一,而ITO靶材的成形技术是关键环节。综述了冷等静压成形、冲......
以化学共沉淀法制备的ITO粉末为原料,采用喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备了ITO靶材,通过扫描电子显微镜(SEM)观察粉末、素坯及烧结......
