NPN晶体管相关论文
本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流......
通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示：随着总剂量的增加，晶体管基极电......
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低......
IGBT虽然在理论上兼具BJT和MOSFET的优点,但由于它自身结构特点（如固有的寄生NPN晶体管）和应用电路中某些元件（如续流二极管=、杂散电......
印度班加罗尔拉曼研究所图1中的电路用三只NPN晶体管和三只PNP晶体管做了一个逻辑探头.两只晶体管作为驱动LED的开关;逻辑1是绿色L......
在对称预放大器和输出放大器中，使用真正的互补晶体管是相当明知的。这就必须使两管基极一发射极的电流和借助电流源T3和T4，PNP及NPN......
Radiation damage of NPN transistors under different fluxes with electron energy of 1.5 MeV was investigated in this arti......
电路设计中常常在两级电路之间加入一个缓冲放大器隔离两部分电路。通过这种隔离方式能够在许多应用，特别是在射频系统中减少不利因......
人们装修房子时,经常需将墙内电源线引出墙外,但不知电源线在墙中位于哪个位置;检修汽车时,如何追踪电源线,也是经常碰到的问题。......
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SO......
Diodes公司推出AL5802线性LED驱动器,提供简单、具成本效益及低电磁干扰的解决方案。该驱动器集成了一个高增益的NPN晶体管,其预偏......
Diodes公司推出AL5801线性发光二极管（LED）驱动器，仅需两个外加组件，就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款......
<正> 上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功地开发出2.0μm 18V/36V 及4μm 20V/40V ......
应用半导体物理理论对NPN晶体管放大系数等参数进行了两种方法计算，采用SILVACO ATLAS软件对晶体管建模并仿真求取，比较了仿真与计算......
把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获......
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研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC......
