SiH4相关论文
Numerical study on the formation/growth/transport mechanism of Si nanoparticles for energy conversio
A numerical model is presented for silicon nanoparticle formation,growth and transport during thermal chemical vapor dep......
Microstructure and Mechanical Properties of TiAlCrSiN Nanocomposite Coatings Prepared by Cathode Arc
...
本文运用Si的1sNEXAFS实验谱对SiH4在Cu(111)面的低温吸附及分解进行了系统的理论研究地，通过MSC(多重散射团簇)理论计算分析表明,......
在 MeH n 之间的三建筑群的优化几何学(Me=Na， Mg，；n=1 或 2 ) 并且 SiH4 在 B3LYP/6-311++g * 被计算了 * ， MP2/6-311++g (3df,3pd )......
在MP2/aug-cc-pvtz水平上对SiH4…Y(Y=He,Ne,Ar,Kr)复合物势能面上的4个构型进行优化,探讨了SiH4…Y(Y=Ar,Kr)复合物体系中的蓝移......
采用化学气相淀积淀积ＳｉＣ薄膜中ＳｉＨ４、ＣＨ４的分解产物种属进行数学建模，并结合相关热力学数据进行计算机模拟，得出ＳｉＨ４分解产物中以ＳｉＨ２为最多，ＣＨ４以ＣＨ２为最多，表......
Polycrystalline silicon(poly-Si) films were deposited using Ar diluted SiH4 gaseous mixture by electron cyclotron resona......
<正>In this paper,polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical ......
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气本，在２英雨到３英雨的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５℃，６１０℃和５７５℃......
前言 半导体电子厂房等洁净空调场所，工艺上会用到各种气体如氢气（可燃、用于光刻）、砷化氢AsH3（有毒、用于沉积植入）、矽烷SiH4（有毒......
本工作测得了在 926.96cm~(-1)～108844.72cm~(-1)波段 SiH_4分子与CO_2激光谱线对应的光声光谱,确定了SiH_4分子的最佳吸收线位置,......
本工作测得了在 926.96cm~(-1)～108844.72cm~(-1)波段 SiH_4分子与CO_2激光谱线对应的光声光谱,确定了SiH_4分子的最佳吸收线位置,......
对Sill4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨．在MP2／6—311＋＋G（3d，3p）水平优化、频率验证得到复合物的分子结构，通过分子间......
本工作利用光学发射光谱技术对ＴＥＡＣＯ２激光诱导ＳｉＨ４等离子体反应碎片的时间特性进行了测量，分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Ｓｉ，Ｓｉ＾＋等主要为一级......
采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明：在放电射频功率......
在半导体制造过程中，需要使用大量有毒性气体，如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有......
在半导体制造过程中，需要使用大量有毒性气体，如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有......
本文使用快速热处理超计ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层。俄歇电子能谱被用业检测ＳｉＧｅ合金层的厚度。实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中......
<正> SiH_4是生产半导体材料的重要原料。近年来对该分子的电子能级、解离和电离的研究逐渐深入,成为一个非常活跃的研究课题。SiH......
本文首次报道SiH_4在紫外区多光子电离的分质量光谱。没有检测到SiH_4~+;SiH-2~+和SiH_3~+是主要产物、SiH~+很少。与同步辐射的实......
本文报道用流动放电—化学发光方法测定N(~4S)原子和SiH_4分子化学反应速率常数。在293-503K范围内,其速率常数k与温度T的关系为: ......
（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH......
通常硅烷与氧很难共存,人们也决不会贸然在硅烷气体中作掺氧试验.一次偶然的机会,我们做配制SiH4与N2二元混合气的实验,事后发现所......
<正> 我们用光学发射光谱(OES)测量法研究了激光等离子体化学气相淀积(LPCVD)条件下SiH_4分解产物的光谱特性。一、引言目前国内外......
采用从头算方法对SiH4与AB型卤素互化物（ClF、BrF、IF、ICl、IBr、BrCl）形成的复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311＋＋G（3d,3p......
在Born—Oppenheimer近似下。对分子体系中的电子运动哈密顿中势能项中的原子核部分以C原子和Si原子为中心做多极展开,保留展开式......
作为危险化学品的SiH4在液晶面板制造中主要用于化学气相沉淀工艺,是重要的原材料之一。为了生产的安全和稳定,甚至控制成本,需要......
多晶硅（Poly-Si）薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本在能源信息产业中,日益成为一种非常重要的电子材料,在大规模集成电路和半......
本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及......
采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ４射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。发现在放电射频功率增加......
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认......
制备多晶硅时，用液氨法在低温下产生的硅烷，除主成份SiH4外，尚含H2、微量NH3、Si2H6、CH4、H2O、O2、N2、PH3，以及痕量的B2H8和AsH3等......
用于制造半导体的气体，大部分是易燃、易爆，剧毒的气体，如AsH3、SiH4、PH3、B2H6、HC1等，在大气中它们的最大允许浓度分别为0.05、5.0......
本文叙述高纯SiH4中痕量杂质的转化色谱分析条件，装置及流程。通过弱极性有机担体柱有效地将硅烷中ppm级杂质与主组份分离，分离后的......
SiH4历来用作制造半导体用多晶硅、外延膜生长、硅器件钝化膜和聚硅膜等的原料气。目前，以发现非晶硅(a-Si：H)为契机，有关SiH4的应用......
单硅烷（SiH4）作为一种提供硅组分的气体源，可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物，因其高纯度和能够实现精......
