本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理． T......

介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法、湿法腐蚀的机理、腐蚀方法、影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异质结晶体管中的应用 The mechanism of dry and......

介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。 The method of self-aligned fabrication of SiGe / SiHBT by io......

SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材......

本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si......