Δ掺杂相关论文
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等......
低温下观察了弱耦合δ掺杂ＧａＡｓ超晶格的辐射复合发光．实验结果表明：除观察到基态的复合发光外，还观察到激发态的复合发光．基于有效质量近似......
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si......
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技......
用分子束外延在Ga As（001）衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究......
为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关......
建立铁磁条调制下含有δ掺杂的磁纳米结构模型,计算不同δ掺杂位置及高度时电子的透射几率及自旋极化率,重点研究了该纳米结构中电......
通过光致发光光谱，研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和-系列GaAs／AlAs多量子阱（阱宽范围从30A到200A）中δ-掺杂浅受主杂质铍（B......
从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技......
测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结......
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美国喷气推进实验室的研究人员目前正在研制一种带δ掺杂和集成光学滤光片的减薄型硅CCD器件,这种CCD器件为背照式器件,它将被用作......
本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连......
本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管（DHBT），并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InP DHBT集电......
碳化硅（SiC）材料作为高温、高频以及大功率电子器件制备的理想半导体材料,近年来越来越受到世界各国的广泛关注。由于4H-SiC材料的宽......
太赫兹波在电磁波谱中位置特殊并且有许多优点和潜在的利用价值,因此处于远红外波段的太赫兹发光器或激光器的理论和实验研究理所......
提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或......
GaN为宽禁带半导体材料，在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景，因而倍受关注、发展十分迅速。目前，蓝宝石衬底是GaN异质外延......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学......
