二次电子发射系数相关论文
目的 调控空间电子器件有机介质聚四氟乙烯（PTFE）表面的二次电子发射系数（SEY）接近1，降低表面电荷沉积速率，减少静电放电（ESD）的发生。方法......
高功率微波（HPM）技术实用化进程需要强流二极管硬管化技术。陶瓷真空界面是强流二极管的关键部件之一，沿面闪络严重制约着陶瓷真空界......
金刚石薄膜由于可具有特殊的负电子亲和势表面和优异的综合性能，作为冷阴极发射材料在高频、高温、大功率电子器件及真空电子器件中......
随着电子技术的发展，二次电子发射得到愈来愈广泛的应用，因此，二次电子发射现象引起了人们的极大的兴趣，人们对各种物质二次电子发射的......
Mg O薄膜的二次电子发射系数 γ在彩色等离子体显示器的研究中是一个非常重要的参数。因此 ,准确的测量 Mg O膜的二次电子发射系数......
采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞......
设计了一台抑制空间行波管多级降压收集极二次电子发射的、专用离子束处理设备。研究了Mo原子沉积速率对二次电子发射系数和表面织......
用不同配方的Mn，Cr，Ti混合物涂复α-Al2O3绝缘瓷表面，在适当的条件下热处理，利用XPS和EELS测试分析了表面层的电子能态.发现在退火后各......
本文研究了粗糙度、镀层厚度对常用隔离器金属材料的二次电子发射系数的影响,研制结果表明表面镀层厚度对二次电子发射系数影响不......
当材料表面受到具有初始动能的粒子撞击时,会被激发出二次电子。二次电子发射特性广泛应用于各个领域,而在航天领域,二次电子发射......
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势（NEA）的行为。对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系......
设计了一套二次电子测量装置，采用间接测量法，利用中子发生器产生的氘离子束，对氘离子束轰击下钼靶的二次电子发射系数进行了实验研究......
结合等离子体显示器件(PDP)的放电机理,论述了PDP中MgO保护膜的二次电子发射过程:势能型发射和动能型发射.讨论了两种二次电子发射......
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子......
电子倍增器使用寿命短的问题严重制约了其在导航定位系统中的应用，究其根本原因在于现有电子倍增器增益低，且打拿极材料在轰击能量较......
研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式......
以单粒子模型和带电粒子运动方程为基础,采用蒙特卡罗方法,编写了真空沿面闪络过程计算程序,研究了外加磁场对真空沿面闪络过程的......
根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式，推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系......
对质子加速器中半波长谐振腔（HWR）型的设计进行了研究,完成一种新型HWR超导腔的初步设计。通过对超导腔设计方法及设计原则的研究,结......
为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关......
根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点，提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计，设计出......
近年来,微放电效应的抑制研究在加速器、大功率微波器件等领域得到了广泛的关注。采用聚苯乙烯(PS)胶体晶体模板辅助磁控溅射法制......
航天器充电效应分为表面充电和内部充电,是由空间环境引起的航天器异常和故障的主要诱因之一。其中,表面充电是最早被人们发现的空......
介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理，用该测量系统测量出了原电子能量E，高达几十keV时的氧化镁的......
固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空......
根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数......
根据二次电子发射的物理特性和过程,以θ角射入原子序数为Z的金属的每个原电子发射的二次电子数(δPEθZ)、原电子的入射能量(Wp0)......
根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、......
期刊
以介质填充的平行板放电结构为例,本文主要研究了介质填充后微波低气压放电和微放电的物理过程.为了探究介质材料特性对微波低气压......
采用CST软件的粒子工作室模块，对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究，并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状......
实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5％.二次电子发射系数测试结果显示,Re......
本文主要研究了介质填充微波部件微放电随时间演变过程,重点分析了介质微波部件微放电自熄灭机理.以介质部分填充平行平板传输线为......
综述了氧化镁薄膜二次电子发射系数的主要测试方法，包括静电法、脉冲中和法、双枪法、热控法、单脉冲法以及PDP间接法等。阐述了各......
随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的......
冷阴极作为微波放大管的核心组件, 它对冷阴极材料有着严格的技术要求. 经过中频炉熔炼, 压力加工以及热处理, 制备了厚度尺寸范围......
<正> 本文对二次电子发射现象,特别是对用作微通道板的玻璃这类绝缘体、半导体材料的二次电子发射现象及其二次电子发射系数的测量......
用脉冲等离子体降解有机废气，对甲苯、二甲苯的降解率达７３％～９１％，对二氯甲烷的降解率达８２％。在实验中发现电极材料的不同会影响分解效果，其中钨电......
行波管具有增益高、频带宽、噪声小和动态范围大的优点,被广泛应用于微波武器、毫米波雷达、电子对抗、材料处理及受控热核聚变等......
电子倍增器在质谱技术、真空技术、空间探测以及在铯原子频标中,都具有非常广泛的应用。它是一种可以对入射电荷信号进行放大的真......
坎贝尔在19世纪末发现了二次电子发射现象,从此以后,开启了对二次电子发射现象研究大门。现阶段,二次电子发射在各类真空电子元器......
本文着重讨论微通道板的噪声因子与首次碰撞时二次电子发射系数的关系。研究表明，在微通道极输入端通道内蒸镀适当深度的高二次发射......
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷......
微放电效应,又称“二次电子倍增效应”,是一种发生在部件表面的真空谐振放电现象。部件表面的二次电子发射是导致微放电击穿的关键......
近年来,用于卫星通讯导航的空间行波管需求数量大大增加,高整管效率与长寿命、高可靠性一样成为其最关注的因素。更高的整管效率不......
金刚石薄膜由于可具有特殊的负电子亲和势表面和优异的综合性能,作为冷阴极发射材料在高频、高温、大功率电子器件及真空电子器件......
小孔径微通道板系指通道孔径小于或等于6μm、厚度低于0.32m m的微通道板(简称SP-MCP),其电极性能将直接影响微通道板的增益和分辨......
在微通道板输出端镀制一层逸出功更高的金属膜以覆盖原有的镍铬电极,从而减小微通道板输出电子的动能以及在荧光屏上的弥散,提高微......
为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg（OH）_2以及三段式温度煅烧Mg（OH）_2制备MgO晶体的过程,并使用......
