场发射阵列相关论文
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进......
通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的......
主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比.作者认为正在研发的热阴极和冷阴......
场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在：FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题．分析了产生这些问题的......
复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采......
目前,用于场发射阵列(FEA)的阴极发射体材料多种多样,按制备工艺可以分为蒸镀锥尖型、涂覆型和图形化阴极型等.本文概述近年来场发......
结合其发光原理及特点分析了阴极射线管（CIKT）显示器、液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、场发射显示器（FED）的市场走向，认为FED是一种最......
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术，利用2．6μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1μm的场发射阴极的栅极空腔阵列，实现了......
研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响，结果表明，在有栅极（Ti—w）和无栅极情况下，p-Si基底的场发射尖锥阵......
采用氧等离子体氧化刻蚀工艺，制备出尖锐的六硼化镧（LaB6）微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能，得到了真空......
研究了氮离子（N^＋）轰击对石墨薄膜场发射特性的影响。片层石墨被N^＋轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度-10^8cm^-2。XPS谱证实有许多......
场致发射阵列阴极在微波管中的应用无疑是微波真空电子器件的一场革命,但经过多年的研究和发展目前仍没有解决微波管环境下阵列阴......
利用离子束刻蚀（IBE）和反应离子刻蚀（RIE）等干法刻蚀方法来制造带栅极的场发射阴极阵列。本文描述了其制作的流程工艺，并对制作中的一些......
场发射阵列(FEA)阴极具有瞬时启动、低功耗、室温工作等优点,如用作微波真空电子器件的电子源可以有效减小器件尺寸、提高器件性能......
以场发射理论为基础的真空微电子器件,因其兼具半导体器件体积小、功耗低以及真空电子器件速度快、频率高、耐高温、抗辐射的优良......
本文重点论述了应用于金属-绝缘-金属结构的场发射阵列（MIM-FEA）的薄膜制备及其表征技术。采用磁控溅射技术制备Cr、Cu、SiO2 和Al2O......
