微凸点相关论文
在电子封装中,随着焊料的无铅化和电子器件的微型化发展趋势,锡须的生长和其对于电子器件可靠性的威胁一直以来都是业内关注的重点......
电迁移已经成为影响微电子产品可靠性最严重的问题之一,长时间电流负载下,互连金属凸点内部由于空洞、裂纹等缺陷导致产品失效风险......
TSV转接板组装工艺过程引起的封装结构翘曲和应力对微凸点可靠性有重要影响。该文采用有限元方法,分析了TSV转接板封装自上至下和......
微凸点是实现高密度射频系统级封装的关键技术.介绍了射频系统级封装对于微凸点工艺的要求,结合钎料球凸点、铜柱凸点和金球凸点的......
随着微电子领域朝着微型化的不断前进,产品封装密度越来越高,微焊点的尺寸和间距也日益减小,电迁移现象更加频繁的出现。本文针对......
作为新型的芯片层间互连技术,铜柱凸点具有更好的导电导热性能,易实现超细节距互连,满足高密度三维封装的要求。随着集成电路的特......
在三维封装中,作为核心技术的铜柱凸点,具有优良的电学和机械性能,在防止短路的同时能够实现高精度的互连。现阶段,铜柱凸点尺寸缩......
电子信息技术对封装焊点提出了高密度、高质量、小尺寸、低成本的要求,在此基础上,由二维平面到三维高度上的封装技术应运而生。微......
过去几十年里,微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小,已经进入到真正的纳米时代。尽管集成电路的特征尺寸已经进入20nm之下,但是在......
分析了晶圆级电镀工艺过程中影响镀层状态和厚度均匀性的主要因素,并通过优化电镀工艺参数和增加阳极挡板的方式,大大改善了镀铜层......
按照摩尔定律,继续通过缩小晶体管的特征尺寸来提升集成电路的性能,已变得越发困难。三维集成电路(Three-dimensional integrated ......
利用连续电镀工艺在C194铜片上制备了W含量为33.21％的晶态NiW（c—Niw）合金阻挡层，随后镀纯锡。采用扫描电镜（SEM）、背散射电子成像（BSE）、......
