SILVACO相关论文
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系......
为了探究850 nm垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL）在空间辐射环境中的退化规律与机理，开展了3 MeV......
随着科技的发展,人们对于面板的便携性以及小尺寸性有了更高的要求,而In Ga Zn O Thin Film Transistors（IGZO-TFTs）存储器由于其对......
航空、核工业等事业的不断发展使得对其内部电子仪器精密度、集成度提出了更高的要求。更小特征尺寸的晶体管为芯片带来了更高的计......
随着社会需求的增加、科技技术的进步,半导体集成电路应用于生活的方方面面,成为社会生活不可或缺的一部分。然而传统场效应晶体管......
晶体硅太阳电池制作过程中磷扩散工艺对其电学性能存在一定的影响.本文通过Silvaco软件对单晶硅太阳电池的一步扩散和两步扩散进行......
利用Silvaco公司的Athena工艺仿真软件和Atlas器件仿真软件,对N型插指背结背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)晶硅太阳电池......
利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg2Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电......
垂直腔半导体激光器（VCSEL）以优于传统的边发射激光器的性能，在很多应用领域已经占据了越来越重要的地位，要很好的研究它的应用价值就......
利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变......
报道了利用Silvaco软件对Hg1-xCdxTe（x=0．22）n—on—P型长波探测器的模拟仿真结果。采用二维简化pn结模型，以品质因子ROA为标准，模拟计......
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引......
针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构......
主要介绍利用silvaco软件对集成门集换流晶闸管IGCT（Inregrated Gate Commutated Thyrister）进行工艺模拟。利用siavaco软件中的Athe......
从功率VUMOSFET器件结构出发,通过使用模拟软件SILVACO进行工艺和器件仿真,根据仿真结果分析了器件沟道掺杂浓度分布对阈值电压的......
根据摩尔定律(集成电路上可容纳的晶体管数目,每隔18个月便会增加一倍),集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小,随之而来不仅......
借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展（JTE）结构的碳化硅（SiC）肖特基二极管（SBD）。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的......
SILVACO TCAD是一款半导体工艺和器件仿真的专用软件,具有良好的界面,精确的模型设计被广泛应用。本文利用SILVACO TCAD软件对VDMO......
作为微电子、集成电路等专业高年级本科生和研究生的核心专业课程,《半导体物理与器件》相关课程对信息技术产业的作用已经处于无......
MEMS压力传感器具有体积小、灵敏度等优点,发展前景广阔。本文采用工艺模拟软件结合文献设计一种MEMS压力传感器制备方法,制备出符......
期刊
针对n-on-p型长波Hg1-x Cdx Te红外探测器的暗电流进行建模分析,分析了不同机制对暗电流的影响,仿真分析结果和实际结果能够较好地......
介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理。设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,......
基于非等温能量平衡传输模型,利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型......
GaN作为第三带半导体材料,具有高电子漂移速度、宽禁带和高击穿电压等优点,可以在高频率、高功率、高温和腐蚀性环境下工作。在自......
功率异质结双极型晶体管（HBT）在微波功率领域具有举足轻重的地位。为了提高HBT的功率，通常采用多发射极指并联结构。每个发射极指的自......
氮化镓（GaN）作为一种典型的第三代宽禁带半导体材料，具有热导率高、电子漂移速率高、击穿场强高、耐腐蚀、耐高温、化学性质稳定等特......
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极晶体管的简称。在各类半导体功率器件中，IGBT因具备双极和功率MOSFET两种特性......
介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、......
ZnO基金属-半导体-金属(MSM)肖特基型紫外探测器具有暗电流低、响应速度快、易于集成等优点,在导弹追踪、紫外通信、火灾的探测与......
G GaN基材料是Si、GaAs之后的第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子迁移率高等特性,相关的合金材料属于直接带隙半导体,材料发光......
传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管是在半导体结的基础上而形成的。通过在器件的栅极施加电压偏置，半导体结可以对电流实现截止......
碳化硅（SiC）材料因其禁带宽度大、临界击穿电场高、载流子饱和速度高、热导率高等特点成为制作高频、大功率半导体器件的首选材料。......
近年来,随着便携式系统和无线通讯系统的迅速发展,电子产品的消费已经转移到射频领域。这为SOI技术的应用开辟了广阔的前景：一方面,......
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新能源变频领域的核心器件[1],研发的过程中,数值仿真一直是重要的一环。为了减少研发成本、增加可靠性,本......
利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应。在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的......
北京华大九天软件有限公司近日宣布，与全球TCAD和EDA软件提供商Silvaco公司签署代理协议，Silvaco公司授权华大九天在中国市场销售其......
近年来微电子材料和器件体系结构的发展,开创了半导体器件和电路的新时代,同时在半导体行业摩尔定律的发展过程,依然面临着许多挑......
