电子封装材料相关论文
通过喷雾沉积法制备了用于电子封装的双层和三层Al–Si功能梯度材料（FGM）。结果表明，梯度材料具有致密的显微组织和良好的层间结合。......
随着集成电路芯片向大功率、高集成度方向发展,传统电子封装材料的散热性能已不能满足当前需求。金刚石/铜复合材料具有高导热、低......
高SiC含量的SiC/Al复合材料具有低密度、比高强度、耐磨性好、高热导率和低热膨胀系数等优异的性能,是最具有应用前景的电子封装材......
随着电子信息产业的高速发展,传统电子封装材料难以满足现代电子产品对散热性和轻量化的要求,电子信息产业急需具备热膨胀系数低,......
导热高分子材料的制备能够为有机高分子在发光二极管、电子封装材料、工程材料等领域中的应用提供新的思路,进一步拓展了高分子材......
电子封装材料是满足现代电子信息技术对电子产品小型化、便携化、低成本而诞生的产物.然而,由于碳化硅铜基复合材料(加入微米级、......
电子产业的快速发展使电子封装面临新的问题和挑战,功率密度的不断提高和应用领域的不断拓展要求电子器件具有更高的服役温度。纳......
金刚石/碳化硅复合材料具有热导率高、热膨胀系数低、半导体性能优异和密度低等优异的综合性能,适用于电子封装材料。本文针对无压......
由于金刚石的良好物理性能，金刚石/金属复合材料作为新一代电子封装材料受到广泛的重视，是封装材料最有潜力的发展方向之一。本......
采用热压成形工艺制备了Al-50Si、Al-60Si、Al-70Si合金电子封装材料,研究Si含量对材料组织和性能的影响.结果 表明,Si含量对Al-xS......
对于航空航天飞行器领域使用的电子封装材料,在满足低膨胀、高导热等基本要求的同时,还要满足材料气密性与强度的要求,而且轻质是......
苯并嗯嗪树脂具有低粘度，耐潮性优异，线性膨胀系数低和耐热性较高的特点，本文利用这一特点，围绕将苯并嗯嗪树脂引入电子封装材料，以制备......
利用亚音速火焰喷涂技术制备了高体积分数和符合电子封装材料性能要求的SiCp/Al电子封装材料。探讨了球磨工艺对SiC和Al复合粉质量......
W-Cu电子封装材料具有优良的导热性能和可调节的热膨胀系数，是目前国内外军用电子元器件特别是固态相控阵雷达首选的电子封装材料。......
随着电子电路集成规模的日益提高，电路工作时发热量亦相应升高，从而对具有高导热性和与集成电路芯片膨胀系数相匹配的新材料提出了迫......
超高硅铝合金由于其热膨胀性低、导热性能好、比重轻以及优越的力学性能,作为电子封装材料在航空航天、电子信息科技等高新科技领......
β-SiCP/Al复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、高化学稳定性、低密度等优异的性能,在电子封装领域具有广阔的应用前景。由于无......
电子封装材料的散热能力是保证高功率电子元器件正常工作的关键性因素。Diamond/Al复合材料热物理性能优异，是未来先进热管理材料的......
集成电路的飞速发展,要求电子封装材料具备高热导率(TC)、低热膨胀系数(CTE)和低密度(ρ),同时要求制造成本要低。最近几年,SiCp/C......
本论文以制备高热导、低热膨胀系数的封装材料为目的，采用微米级人造金刚石为增强体，以表面金属化和化学沉积法制备出金刚石/铜复合......
环氧树脂（EP）是一种热固性树脂，具有优异的粘接性、机械强度、电绝缘性等特性，因而广泛用于电力、电子元件的浇注、封装等方面。随着微......
高硅铝基复合材料具有密度小、比强度高、热膨胀系数低和优异的耐磨性能等优点，广泛应用于航空、航天、电子封装、精密仪器等行业，目......
近些年来硅铝合金被广泛用作微波电子封装材料。硅铝合金材料的热膨胀系数小且与电子器件硅板的热膨胀系数相近,密度比柯伐合金等......
新浦经济开发区作为硅电子信息材料产业基地,经过多年的发展建设,现已有碳化硅微粉(电子级)企业6家、硅微粉加工企业2家,硅电子加......
技术领域rn本发明属于电子封装材料,特别涉及微电子金属封装中的铁封微晶玻璃.rn电子元器件金属外壳广泛使用金属-玻璃封接技术,其......
采用高温熔融法在1 350℃制备了CaO-R2O-SiO2玻璃粉料,系统研究了Al2O3的添加量对CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料结构与性......
采用快速凝固制粉技术和粉末热压烧结技术制备55％Si-Al,70％Si-Al和90％Si-Al 3种过共晶含量的硅铝合金.结果表明:雾化沉积是制备过共晶......
用雾化喷射成形制备的硅-铝系列合金(硅的质量分数为50%～70%),较传统的电子封装材料,具有细小均匀的显微组织及低热膨胀系数、低密......
本发明涉及一种有机硅改性环氧树脂及其制备方法和由其制成的电子封装材料及其该电子封装材料的制备方法。该有机硅改性环氧树脂是......
对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料、通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒......
采用等离子喷涂工艺制备了W-Cu电子封装材料，并对该电子封装材料的微观组织和热物理性能进行了研究．结果表明，在内部送粉条件下，复合材......
气相法自炭黑为无定形白色粉末，是一种无毒、无味、无污染的无机纳米材料，广泛应用于高分子复合材料、硅橡胶、涂料、电子封装材料、......
采用扫描电子显微镜（SEM）、电子能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）对室温时效及125-225℃热处理的电沉积Ag／Sn偶反应区结构及相组成进行分析，......
研究了不同退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响.结果表明退火温度对复合材料的剪切强度、轧向导电能力和厚度方向......
对相对密度为90.5%的Mo-15Cu薄板分别进行70%、90%冷轧变形，随后在1200 ℃保温1或1.5 h进行复烧处理。观察复烧前后的显微组织变化，......
1 球形微米和纳米级SiO2的用途 目前,世界上每年生产18万t SiO2电子封装材料,研磨法制取的SiO2占70%左右.球形SiO2每年销量2～3万t.......
通过熔胶-凝胶方法合成了用于电子封装的聚酰亚胺PI／SiC复合薄膜介电材料，并通过扫描电镜、透射电镜、红外光谱对复合薄膜进行结构表......
以羰基Fe，Ni粉为原料，蜡基聚合物为粘结剂，采用粉末注射成形技术制备了4J42 Invar合金零件。研究了粉末注射成形Invar合金的脱脂及烧......
分析研究了轧制温度和单道次变形率对Kovar/Cu/Kovar层状复合材料制备的影响.结果表明,轧制温度为800 ℃,单道次变形率为50%时,Kov......
研究了不同退火工艺对轧制复合CPC电子封装材料力学性能、物理性能的影响。结果表明退火工艺对复合材料的剪切强度、轧向导电能力......
采用喷射沉积技术制备了新型电子封装材料70%Si-Al合金,对其进行热等静压致密化处理后,测试了合金的主要性能.结果表明:喷射沉积70......
采用不同轧制复合工艺制备了铜/钼/铜复合板;利用超声检测仪、万能材料试验机等研究了首道次压下率和退火温度对复合板结合强度及......
对粉末冶金制备的Cu/Invar复合材料,进行变形量至70%的轧制及750°C退火处理,研究在此工艺过程中复合材料物相、组织结构及性......
