漏致势垒降低效应相关论文
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情......
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论，通过求解泊松方程，建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型．基于该模型对表面Ge沟道......
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结（AlGaN/GaN/AlGaN/GaN）材料对高电子迁移率晶体管（HEMT）特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该......
文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上，通过引入耦合两效应的相关因子，建立了高k栅介质MOSFE了阈值电压的器件物理......
碳化硅(SiC)是一种极具潜力的新型半导体材料，具有带隙宽、载流子饱和漂移速率大、击穿电场和热导率高等许多优点，非常适合于制作高......
从第一个晶体管的发明到超大规模集成电路出现，Si基半导体工艺取得了一系列重大突破。Si材料为主体，以集成密度高、静态功耗低、速度......
随着半导体工艺技术的不断进步,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的特征......
文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物......
近年来,MOS器件小尺寸效应的建模与仿真技术日趋得到了学者们的广泛重视。其中,短沟道效应、窄沟道/反向窄沟道效应成为研究的重点......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是集成电路领域最基本最核心的元器件,对它的建模是这个领域最重要的工作之一。模型工程......
纳米线围栅器件结构凭借其理想的栅控能力被认为是MOSFET进入纳米尺度的最终选择。本论文提出一种与传统CMOS器件工艺方法兼容的在......
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下......
