绝缘衬底上的硅相关论文
为了低损耗开关模式电源(SMPS)结构的最佳化,硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导,并且使得前几代器件被逐......
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽......
在摩尔定律的推动下,当今的集成电路的设计和生产能力已经走向了一个新的高度。SOI技术(绝缘衬底上的硅),作为低功率集成电路器件......
为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗......
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体......
绝缘衬底上的硅材料制备的光学微环谐振腔结构具有高灵敏度、结构尺寸小和极低模式体积等特性,被广泛应用到光信息传递、惯性导航......
本文概述了电力电子与微电子的数字化、模块化和集成化三方面的对比；介绍了相关的系统集成技术的研究现状。......
在绝缘衬底上的硅（SOI）制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器, 比其它类型非制冷红外焦平面具有自......
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI......
SOI(Silicon on Insulator)微环谐振腔具有结构紧凑,与COMS工艺兼容,适合于大规模单片集成等一系列优势,因此其功能强大,是集成光......
众所周知,采用传统的缩小器件尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制,从而限制了摩尔定律的进一步发展。绝缘衬底......
