ALGANGANHEMT相关论文
氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
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本文使用TCAD工具对AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真，在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构，并优化了......
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件......
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
氮化镓（GaN）材料具有宽带隙、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等诸多优势,在射频和大功率领域具有巨大应用潜力。基于AlGaN/GaN......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）及其模型在过去的几十年中一直是学术研究和工业应用的焦点。首要原因是它具有电荷密度大、电子......
随着5G网络推行和建设,需要建设大量5G专用的通信基站,而功率管芯模块作为基站的核心部件之一,其需求量显著增加。5G基站的功率管......
第三代半导体的代表性材料GaN具有优异的性能,如较大禁带宽度、较高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、......
Al Ga N/Ga N异质结具有很强的自发和压电极化效应,即使在没有任何掺杂情况下,只有极化应力也能在Al Ga N/Ga N异质结界面的量子阱......
近年来,氢气作为一种替代化石燃料的清洁能源受到广泛关注。氢气是一种爆炸性气体,对氢气传感器的要求是响应速度快、信号放大程度......
氢气传感器可以对氢气浓度进行实时监控和预警预报,目前已经在石油化工氢气管道检测,核电站安全壳内氢气检测,氢能源汽车和加氢站......
近年来,具有高禁带宽度、高击穿电压、高饱和电子迁移速率等优点的氮化镓（GaN）材料在高压、高温、高频和高功率等领域大放异彩。然而......
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns......
研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/G N高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响。利用传输线模型(......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高频及大功率应用方面已显示出了得天独厚的优势,在通信、雷达、电子战以及航空航天、核......
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AlGaN/GaN HEMT器件具有高击穿电场(3.3 MV/cm)和高电子迁移率(2×103cm2·V-1·s-1),其在传感、雷达、自动化、通讯等领域拥有巨......
过去十年,可穿戴传感器因其在监测佩戴者的健康、健身和周围环境方面的巨大潜力而备受关注。柔固结合的可穿戴电化学传感器衬底具......
近年来,新一代半导体材料氮化镓(GaN)具备禁带宽、电子饱和速率高、电子迁移率高、热导率高等优点,使得氮化镓高电子迁移率晶体管(......
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料（也称宽禁带半导体材料）,其禁带宽度、电子迁移速度、击穿电场和工作温度等皆远大于硅（Si）与砷化镓（Ga A......
GaN材料具有宽禁带宽度、高击穿电场和高热导率等优势,在航空航天领域有着广阔的应用前景。虽然GaN材料禁带宽度较大且具有较好的......
GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、击穿电压大等良好的电学性能,在微波大功率和高压开关电路领域具有很大的发展潜......
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氮化镓(GaN)材料在禁带宽度、击穿电场强度、导热系数和电子饱和漂移速度等方面均大大优于前两代半导体材料,因而其在高温、高频率......
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