GaAsSb相关论文
Incorporation of Sb or Bi into GaAs enables significant engineering of the valence band offsets in GaAs and leads to......
In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth......
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系......
采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/G......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 ......
首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁......
首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁......
采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP双异质结晶体三极管（DHBT）材料，研究了材料质量对器件性能的影响，制备的器件不但......
以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源．采用气态源分子束外延（GSMBE）技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂P型GaAsSb材料．通过改变CBrt压力，研......
以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源．采用气态源分子束外延（GSMBE）技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂P型GaAsSb材料．通过改变CBrt压力，研......
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本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配质结材料开展了较为深入的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热......
Study of Electrical Properties of GaAs1-xSbx Thin Film Grown by VerticaI-MOCVD Using TMGa, TDMAAs, a
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采用窄禁带宽度材料CaAsSb作为异质结晶体管的基区材料，成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/Ga......
研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发......
重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键......
