溅射时间相关论文
TiO2以优异的光学透过率、高折射率、高介电常数、化学稳定性、较好的附着力和寿命以及光催化性能等,被应用于环保和建筑等领域。......
纳米球刻蚀技术和磁控溅射方法在普通玻璃衬底上制备有序氧化锌(ZnO)纳米阵列。利用扫描电子显微镜对样品表面形貌进行了观测,并对......
研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环......
采用洛氏压痕法对涂层-基体结合力进行评估,利用PVD磁控溅射系统分别在3种不同硬度的45钢基体表面制备了ZrN涂层,通过不同载荷的洛......
在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V2O5离子储存薄膜,重点研究了溅射时间(2~5 h)对V2O5薄膜结构与性能的影响......
我们在玻璃衬底上用磁控溅射的方法以不同的溅射时间（15、20、25、30min）沉积了氧化钒薄膜，我们发现随着溅射时间的增加，氧化钒薄膜的......
采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜,并讨论了Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响.结果......
采用复合靶射频磁控溅射方法制备了ZnO／TiO2复合薄膜，对薄膜500℃退火处理2h。利用XRD和AFM对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表......
用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜，研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响。采用X射线衍射（XRD）对ZAO薄膜......
采用射频磁控溅射法在Cu箔基片上分别溅射5min、15min和25 min,制备了3种锂离子电池用Sn薄膜负极材料。通过XRD、SEM、ICP、恒电流......
本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法及热退火处理方式，利用输出波长为1064nm的Nd：YAG脉冲激光器在P型Si（100）衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2......
采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底......
为研究磁控溅射对纺织材料力学性能的影响,以涤纶长丝织物为基材,采用磁控溅射工艺,在不同镀膜时间下镀钛金属于涤纶织物,然后测试......
采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒（VO2）薄膜。研究了在300℃沉积温度下，不同溅射时间（5-35min）对V......
采用直流磁控溅射法在普通玻璃上制备了氧化钒薄膜，并对薄膜采取了450℃真空退火处理，分别测量了退火前后薄膜XRD图谱及电阻，比较了不......
本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜，并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响，这些工艺参数是溅射类型、溅射时间......
采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.%的掺镓氧化锌透明导电薄膜（GZO）。通过X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子......
为了提高光衰减片整体的光衰减效果,采用真空磁控溅射法,利用真空磁控溅射仪制备纳米级厚度的Ni/SiO2玻璃光衰减片.利用X-射线衍射......
用原子力显微镜(AFM)对直流溅射和射频溅射制备铝膜的表面粗糙度及颗粒大小进行了分析比较.实验结果表明:溅射功率和溅射时间对铝......
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌（ZnO∶B）薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分......
为制得具有更小电阻即更好导电性能的织物,利用磁控溅射技术,以铜作为靶材,在涤纶纺黏热轧非织造布上沉积铜薄膜制备导电织物,测试......
1 概况 自从1972年John chapin发明了平面磁控管溅射技术以后,磁控溅射开始几乎都是为各种集成电路服务的,直到八十年代初才移植......
利用RF磁控溅射技术，不同条件下在不同衬底上制备了纯ZnO及Eu^3＋，Tb^3＋’共掺ZnO薄膜。研究了薄膜的衬底、沉积时间和衬底温度对ZnO薄......
采用非平衡磁控溅射技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢上制备了ZrN薄膜。用SEM、EDS观察并分析了薄膜的表面形貌和成分,用光电轮廓仪测量了膜......
采用射频磁控溅射法在300W功率下分别镀膜15、30、45min,制备了三种锂离子电池用Sb薄膜负极材料。通过XRD、SEM、ICP、恒电流充放......
选择铜铟镓硒(CIGS)四元合金靶材,采用一步磁控溅射法在钠钙硅玻璃衬底上制备CIGS薄膜。重点研究了溅射时间对CIGS薄膜结构及性能......
利用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了在衬靶间距为60 mm、衬底温度为350℃、溅射功率为120 W、溅射气压为0.2 Pa的条件下,......
利用射频磁控溅射方法,选取溅射时间为15,25,30和45min,在蓝宝石衬底上沉积了V2O5薄膜。研究了其他实验参量不变,溅射时间不同对薄......
本文根据射频溅射SiC薄膜电阻随厚度变化的实验,导出热平衡条件下薄膜电阻与厚度关系的表达式R=Ae~(wy)+By,分析电阻率随厚度变化......
利用对靶磁控溅射方法在尺寸为6 cm×6 cm有机玻璃衬底上室温沉积ITO透明导电氧化物薄膜,重点研究了沉积时间对于ITO薄膜导电......
