化学气相沉积系统相关论文
本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在镀钛的单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。反应气体为CH4和H2,其流量比为CH4：H2=30：30scc......
韩国庆熙大学（Kyung Hee University）有可能生长出排列更加规则的碳纳米管。利用光发射光谱，他们发现了等离子体增强化学气相沉积系统......
定向碳纳米管阵列的可控制备是其在诸多领域深入研究和推广应用的基础。本文借助化学气相沉积系统，以负载有图形化催化剂的硅片......
我们系统地研究了在氧化硅衬底上纳米石墨烯的无催化剂直接生长.这种生长方式可以在相对较低的温度(大约550℃)下以甲烷气体作为碳......
本文采用超高真空热丝化学气相沉积系统（HFCVD），在多晶氧化铍（BeO）陶瓷上沉积了金刚石薄膜。采用X射线衍射仪和激光拉曼光谱仪分析......
本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在镀钛的单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。反应气体为CH4和H2,其流量比为CH4：H2=30：3......
本文介绍了一台在原有第一代超高真空化学气相沉积系统基础上自行研制的第二代新型的UHV/CVD,反应室本底真空可达5.0×10Pa,它由气......
该文报道用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD）方法，采用锗岛缓冲层技术，在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜（HRTEM）显示，外延层界面......
华南师范大学范广涵教授是电子材料与技术专家,是我国最先从事金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)技术研究的专家之一.现任华南师范......
采用等离子增强化学气相沉积系统(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉积氢化非晶硅(HydrogenatedAmorphousSilicon)，通过正......
该论文利用新型的金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)在蓝宝石、Si、InP和金刚石/Si等衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,研究了退火和掺......
半导体性单壁碳纳米管(semiconductingsingle-walledcarbonnanotubes，s-SWNTs)具有优良的电学性能，是构建及集成高性能SWNTs器件的理......
用C_6H_6和CF_4作为源气体，在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中(ECR-CVD)，制备了氟化非晶碳膜(a-C:F,H膜)，并对其进行真空......
本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了......
介绍了一种新型的磁控/流体动力学控制的大口径长通道直流电弧等离子体炬，并据此设计建造了100千瓦级高功率DC Arc Plasma Jet CVD......
纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H......
利用等离子体增强化学气相沉积系统，用CH4、NH3和H2为反应气体，在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳......
