用湿法腐蚀制作DFB激光器中的光栅有很多缺点。作者采用CH4/H_2的反应离子腐蚀技术制作InP和InGaAsP光栅。适当控制腐蚀过程中的淀......

主要介绍利用反应离子腐蚀和等离子腐蚀相结合的方法制作真空微电子压力传感器中锥尖阵列.探讨合理选择制作材料,优化锥尖形状,锐......

研究了用来制作ＩｎＰ微细结构的反应离子腐蚀（ＲＩＥ）技术，采用ＰＬＡＳＭＡＬａｂμＰＭｏｄｕｌａｒ反应离子腐蚀系统，在ＣＨ４／Ｈ２／Ａｒ环境中，研究了ＩｎＰ的腐蚀速率、表面形貌、剩余损伤层等随反应气体......

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用CHF_3反应离子腐蚀除去SiO_2层之后对Si表面的电特性进行了全面的研究。本研究采用了金属-半导体接触结构,并包括金属-半导体接......

在前研究ＩｎＰ的ＣＨ４／Ｈ２反应离子腐蚀的基础上，进行了ＧａＡｓ的ＣＨ４／Ｈ２反应离子腐蚀研究。ＧａＡｓ的腐蚀速率比ＩｎＰ慢，随ＣＨ４／Ｈ２组份之比值、工作压强、总流量率等而改变，从２ｎｍ／ｍｉｎ到８ｎｍ／ｍｉｎ。当总......

本文简要介绍了微机电系统制作用的基本腐蚀技术，包括各向同性腐蚀，各向异性腐蚀、牺牲层腐蚀、干法腐蚀、ＨＦ阳极腐蚀等。重点介绍了为......

介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术——反应离子腐蚀去钝化层法，包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该......

选取4英寸的晶元切割制成相同的测试样品．试验研究不同的腐蚀气体，以及混合气体配比腐蚀效果，得到对本试验所生成结构有利的腐蚀介质．......