二次离子质谱仪相关论文
利用SIMS（二次离子质谱仪）对硅晶体中痕量杂质磷的定量测量进行了系统的研究，硅晶体中磷的检测限达到5×1013cm-3。实验结果表明，样品......
击穿电压是GaAsFET和异质结器件的重要性能指标之一,影响它的因素很多,表现沾污是其中的一个因素.文章的研究对象是通常的GaAsFET......
本文研制一套轻型、简易并且能自动加注液氮的装置，能有效控制真空冷冻罐中液氮含量，在使样品腔处于较稳定状态的同时，提高样品腔真空......
使用扫描电镜、电子探针和飞行时间二次离子质谱仪对正常牙、中度氟牙症釉质进行形态学比较及化学成分的分布和存在状态研究，结......
利用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统进行了Ｓｉ〈，１－Ｘ〉Ｇｅ〈，ｘ〉／Ｓｉ外延，分别用二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）和ＳＳＭ－１５０型扩展电阻仪测量了其过渡层，并用扩散理论进行了分析。......
LAS-2000谱仪是八十年代由法国引进的二次离子质谱仪(SIMS)，利用该装置对HL-1、HL-1M装置等离子体与壁相互作用(PWI)、壁材料及其原......
会议
新竹清华大学位于台北市南方７０公里处，紧邻台湾矽半导体工业集中地之新竹科学工业园区。１９９１年新竹清华大学购入一台Ｃａｍｅｃａ ＩＭＳ－４ｆ二次离子质谱仪，为台......
利用分子束磊晶（ＭＢＥ）的方法在低浊恩长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将保使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨......
该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析（定......
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
以直径为3mm,高为1mm的Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5圆棒状块体非晶合金为研究对象,研究了Al和Si两种不同元素在Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5块......
利用二次离子质谱仪(SIMS)得到钠钙硅玻璃上下表面硫的含量分布。根据菲克第二定律,理论推导得到S6+和S2-的扩散模型,通过对硫......
在直径25 mm的石墨垫上镀膜或粘贴制作微定位标记,进行SEM-SEM、SIMS-SIMS、SEM-SIMS之间的微粒定位.SEM-SEM之间的微粒定位偏差约......
二次离子质谱仪(SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度(最低可探测浓度为ppm￣ppb数量级)和高分辨率(大约10!......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层......
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入......
介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由......
本文简要叙述法国CAMECA公司,德国ION TOF GmbH公司新型的Nano SIMS50 IMS WF IMS SC UITRA TOF SIMS IV型二次离子质谱的特色,着......
利用二次离子质谱仪（SIMS）得到钠钙硅玻璃上下表面硫的含量分布。根据菲克第二定律，理论推导得到S^6＋和S^2-的扩散模型，通过对硫含量分......
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm量级范围内的杂质浓度分布的方法.首先利用光......
l前言1985年由法国卡梅卡公司引进了应用于半导体生产分析的IMS－3f二次离子质谱仪，1986年4月调机使用，在1990年前国内尚有一个维修站，......
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱......
二次离子质谱仪（SIMS）是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度（最低可探测浓度为ppm^-ppb数量级）和高分辨率（大约10A）。......
在直径25mm的石墨垫上镀膜或粘贴制作微定位标记，进行SEM—SEM、SIMS-SIMS、SEM—SIMS之间的微粒定位。SEM—SEM之间的微粒定位偏差......
建立了一种回收微粒的新方法——抽气碰撞法。擦拭布上的铀微粒通过抽气碰撞装置回收到导电胶上,用于二次离子质谱仪（SIMS）对微粒的......
英国国家物理研究院(NPL)、英国伯明翰大学和诺丁汉大学的科学家们合作研发了一种蛋白质成像新方法,可以通过生物组织和细胞分析以......
二次离子质谱仪作为一种强大的表面分析工具,在表面分析领域有着非常广泛的应用。本文报道了一种用于二次离子质谱仪的一次离子光......
新竹清华大学位于台北市南方７０公里处，紧邻台湾矽半导体工业集中地之新竹科学工业园区。１９９１年新竹清华大学购入一台Ｃａｍｅｃａ ＩＭＳ－４ｆ二次离子质谱仪，为台......
采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能；采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无......
介绍了二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometer， SIMS）的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作......
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×1015和5×1015cm-2 BF2+......
硫酸钠是浮法玻璃生产过程中常用的澄清剂，但其很难完全分解，进入锡槽后，玻璃中残余的硫酸盐在还原气氛下还原为硫化物，可能造成玻璃缺......
二次离子质谱(Secondary-ion-mass spectroscope SIMS),即用自身带有一定能量的离子束轰击待测样品表面，将样品表面的原子溅射出来......
以直径为3mm,高为1mm的Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5圆棒状块体非晶合金为研究对象,研究了Al和Si两种不同元素在Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5块......
本文采用真空蒸发镀膜技术和直流磁控溅射技术制备了不同金属(Ti、Al、 Ti/Al)过渡层A1N陶瓷覆Cu散热基板,实现了氮化铝(A1N)陶瓷......
