GaAs薄膜相关论文
超薄半导体因其优异的性能近年来获得了飞速发展,已成为光电探测器的重要研究方向之一。为了扩展摩尔定律,研究人员在追求高性能,......
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断......
利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分......
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质......
应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用......
研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1......
在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础......
该文介绍以Si和SnO2/glass两种材料为衬底,采用热壁外延方法,制得GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形......
通过物理和化学的理论分析及实验研究,阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2导电玻璃等衬底材料上沉积原子化学计量比接......
采用恒电流电共沉积技术，以SnO2导电玻璃为基片制备了GaAs薄膜。通过观察实验过程和对比各次实验结果，研究了在电解液中加入络合剂ED......
通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP（1.33μPa）、不同温度（570,560,550,540和530℃）下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过......
采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs （001）的表面形貌相变过程（有序平坦→无序平坦→粗糙）进行了深入研究。通过 GaAs （001）在不同 As BE......
