高k材料相关论文
随着互联网时代的快速发展,人们对信息处理和信息呈现的要求越来越高。场效应晶体管,作为芯片和显示面板的基础功能元件,因此成为......
用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值......
采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜 .测量了 Ag/ Ti Ox/ Si/ Ag电容器的 I-V和 C- V特性 .结果表明 ......
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方......
本文着重于讨论非挥发存储器的性能模拟和研究,尤其是电荷俘获层的缺陷态的分布、高K材料的应用和BE-SONOS新结构对非挥发存储器的......
学位
闪存是目前应用最为广泛的非易失性存储器之一。近年来,在技术革新和市场需求的双重驱动下,闪存技术得到了迅猛发展。然而,其发展......
闪存是当前非挥发性半导体存储器市场上的主流存储器件。随着flash进入20纳米工艺节点，基于传统浮栅结构的flash技术正面临严重的技......
FinFET技术已经成为先进工艺制程的主流技术，并将会继续应用到新的技术代中。然而FinFET技术也面临着巨大的挑战:一方面随着晶体管......
目前,Flash Memory在非易失性半导体存储器市场上占有很大的份额,因为它具有高密度、低功耗、小体积和高可靠性等优点。但是随着微......
本文的主要内容是金属氧化物薄膜HfO2和ZrO2的制备及相应的样品表征和性质研究。我们摸索发展了一种制备HfO2和ZrO2的薄膜的新方法......
采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜......
随着半导体技术的不断发展 ,MOSFET (metal oxide semiconductorfieldeffecttransistor)的特征尺寸不断缩小 ,栅介质等效氧化物厚......
用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而......
栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会......
用二维模型模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能，结果表明，由于FIBL效应，随着栅介质介电学常数的增大，阈值电区减小，......
近年来，多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点。从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡......
由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响，常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解......
随着信息时代的到来,数据爆发性的增长要求非易失性存储器(Non-volatile memory,NVM)在开发更高的存储密度等方面快速提升。但是随......
随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作......
NEC电子公司开发出名为UX7LS的55nm节点工艺，采用了浸入式光刻和高k材料。该工艺可提供比65nm工艺在操作和待机模式下低十分之一的......
随着45nm和32nm技术节点的来临，传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为......
在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏。在90nm工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。虽然采......
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制......
期刊
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法，研究了金红石结构TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子后形成的化合物HfxTi1-xO2的几何结构、电......
闪存是当前非易失性半导体存储器市场上的主流存储器件。随着闪存进入20纳米工艺节点,基于传统浮栅结构的闪存技术正面临严重的技......
随着半导体行业的不断发展,集成电路芯片的密度随之增大,晶体管的沟道长度和栅介质的厚度也不断缩小。当传统的二氧化硅栅介质的厚......
微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引......
半导体器件尺寸随着制造工艺和集成电路技术迅速发展而持续的等比例缩小,隧穿氧化层厚度也随之不断减薄,致使泄漏电流增大；存储单元......
采用数值仿真分析了多层PCB的电源/地平面中嵌入高K材料对过孔转换信号完整性的影响。研究了电源/地平面间的介质层整体采用高介电......
由于应用市场对非挥发闪存日益增长的高密度和大容量的要求,闪存的工艺水平已经进入1X nm节点,传统的浮栅型存储器件因为可缩小性......
随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已......
寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小，因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义．本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二......
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO2是必然选择.然而,由于高......
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介......
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了A......
当集成电路的线宽发展到45nm技术节点以下，迫切需要采用高K栅介质取代传统的SiO2栅介质以克服器件的栅极漏电，而稀土氧化物是最有前......
由于稀土氧化物薄膜具有很多优良的物理性质在很多技术上获得应用。特别是由于稀土氧化物薄膜具备较高的介电常数（k （La2O3）=27, k （Gd......
目前,稀土氧化物薄膜在许多不同技术领域被广泛运用,其介电常数（k （La2O3） = 27, k （Gd2O3） = 16）较高,在硅衬底上热力学稳定（高于ZrO2和H......
智能功率集成电路(SPIC)要求功率半导体器件与低压控制电路可以集成在同一块芯片上,同时希望功率半导体器件的功率密度能尽可能得......
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长......
本论文的工作主要包括两部分：1、通过锂盐交换反应和配体质解反应两种不同的方法合成出一系列酰胺基稀土配合物（Ln=La、Gd）,对所得到......
随着集成电路的发展，传统的SiO2材料已不能满足现在栅介质层薄膜的要求。稀土氧化物因具有高介电常数（k （La2O3）=27, k （Gd2O3）=16）和优异......
作为目前应用最为广泛的横向功率器件,SOI (Silicon On Insulator) LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)器......
随着MOS器件尺寸的缩小,进一步提高器件工作性能面临诸多挑战。许多新技术被开发出来用以克服这些挑战,例如为降低栅极漏电流需用......
进入21世纪以来,全球集成电路制造技术升级换代速度有加快的趋势。按照摩尔定律,随着集成度的提高,晶体管特征尺寸按比例缩小,其结......
绝缘体上的硅（Silicon On Insulator，简称SOI）高压集成电路（High VoltageIntegrated Circuit，简称HVIC）凭借其隔离性能优良、集成度高、......
