HETEROJUNCTIONS相关论文
In this work,hollow Fe2O3/Co3O4 microcubes have been successfully synthesized through a hydrother-mal method followed by......
Epitixial graphene/SiC core-shell heterostructure as metal-free photocatalyst for efficient hydrogen
Various nano-sized semiconductors combined with nobel-metal have been widely explored to develop high efficient photocat......
Ultra-Broadband Photodetector for the Visible to Terahertz Range by Self-Assembling Reduced Graphene
High-performance broadband photodetectors have recently attracted signicant interest because of their importance to a va......
Non-polar,semi-polar,and polar ZnO thin films can be well controlled to epitaxially grow at 200 ℃ on different substrat......
有一轴取向的斜方晶的 HoMnO3 电影被使用搏动的激光免职技术制作所有氧化物异质接面在 Nb-1.0wt%-doped SrTiO3 单个水晶底层上取......
通过简易的两步法制备一系列Co3O4/CeO2异质结。其结构、形貌和微结构分别通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HR......
Water electrolysis is to split water into hydrogen and oxygen using electricity as the driving force.To obtain low-cost ......
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Fabrication of double-walled carbon nanotube film/TiO2 nanotube array heterojunctions with length-de
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Ultrasonic-assisted pyrolyzation fabrication of reduced SnO2-x/g-C3N4 heterojunctions: Enhance photo
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
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Highly conjugated multiwalled carbon nanotube-quantum dot heterojunctions were synthesized by ethylene carbodiimide coup......
采用并五苯(Pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种有机材料作为有源层,制备了异质结有机光敏场效应管.在波长为808 nm、强度为124 mW/cm2......
以p型硅和茈四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射......
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si......
采用磁控溅射法外延生长(100)Nb∶SrTiO3/(110)ZnO异质结。施加磁场前、后均观测到典型的整流特性,但施加磁场后的整流效应显著增强。......
自旋电子学指通过控制和利用电子自旋(而不是电荷)获得一系列新颖性能的研究领域。自旋电子器件已经成功地应用于计算机硬盘驱动器和......
采用转移矩阵方法研究了ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构中界而光学(IO)声子模和电子-IO声子相互作用哈密顿量,发现IO声子的色散关......
通过脉冲激光沉积技术在掺杂1.0%Nb的SrTiO3单晶基底上制备了单一c轴取向的正交HoMnO3薄膜,测量了变温条件下全氧化物异质结HoMnO3......
采用近年发展的两种电荷控制模型及改进的两区v-E模型推导了“反向”器件模型,从直流I-V特性分析求解了Al0.3Ga0.7As/GaAs HEMT的结构参数,因非线性电荷控制模型......
基于量子霍尔效应的整数值量子电阻标准计量器件,能够有效缩短电阻的量值传递链,减少传递过程引入的不确定度,实现电阻传递的量子......
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性,电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性,其理想因子接近于1.电流......
用低压预处理液相外延方法在Si衬底上生长了GaP外延层,解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题,从外延层中Si的含量,固相组分的化学计......
在研究一般MIM(Al-Al2O3-Au)结的基础上,为了克服Al的不稳定性和改善结的性能,我们采用半导体材料Si代替Al,研究成功MIS隧道结,观察到了稳定的发光现象。介绍了MIS结......
我们将C60膜沉积在p-GaAs(100)衬底上,做成了固体C60/p-GaAs异质结并对其电学性质做了研究。异质结的理想因子接近于1,在偏压为±1V时,其整流比大于10^6倍,在正向偏......
本文报道采用双光束致发光手段研究In0.2Ga0.8As/GaAs本征样品及4种不同位置δ掺杂样品,观察到了由He-Ne激光导致的激光强度随附加的第二束激光发光(白光)强度......
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影......
制备了结构为ITO/MoO_3(6 nm)/Rubrene(30 nm)/C_(70)(30 nm)/PTCBI(x nm)/Al(150 nm)器件,研究了四羧基苝的衍生物PTCBI作为阴极修饰层对Rubre......
本文提出了一种简便可行的GexSi1-x/Si异质结无间距定向耦合光开关(BOA型)模型分析方法。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机......
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs/AlGaAs异质结台面型晶体管,大大改善了它的直流特性.并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实......
本文报道了AlxGa1-xAs/GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽(携带气体为N2)发生化学反应的氧化特性。其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界......
随着较差的生物相容性和更高毒性有机染料的应用,如酚类化合物和抗生素,水污染和食品污染变得极其严重.这不仅危害人类健康,而且严......
nterfaceFormationofSeveralHeterojunctionsConcerningⅣandⅡⅥSemiconductors①BanDayan,XueJiangeng,FangRongchuanDepartmentofPhysic.........
本文使用快速热处理超计CVD方法,通过分解SiH4及GeH4气体生长SiGe合金层。俄歇电子能谱被用业检测SiGe合金层的厚度。实验发现:随着生长温度的升高,SiGe合金中......
Enhancement of Performance of Organic Light Emitting Diodes by Using Ti- and Mo-Oxide Nano Hybrid La
Nanorod-like TiO2 (nc-TiO2) and MoO3 (nc-MoO3) films were thermally grown from Ti- and Mo-metallic wafers. Nanohybrid fi......
Utilizing first-principles band structure method, we studied the trends of electronic structures and band offsets of the......
We present a detailed theoretical study of the behavior of mono-vacancy and B-doped defects in carbon heterojunction nan......