Poly-Si相关论文
Effect of annealing and plasma oxidation on the resistivity of phosphorous- doped poly crystalline s
The effects of annealing and plasma oxidation on phosphorus-doped poly-silicon layers were studied in this work.Plasma o......
Source/drain (S/D) thermal formation is a strenuous issue on a single crystalline Si (s-Si) for the application of LCD a......
建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模......
本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,......
This paper investigates a simplified metal induced crystallization (MIC) of a-Si, named solution-based MIC (S-MIC). The ......
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,Crystallization of amorphous silicon beyond the crystallized polycrystalline silicon region induced
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
金属诱导横向晶化技术(MILC)由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展.阐述了金属诱导横向晶化非晶硅薄膜的晶化机......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
In this paper, polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vap......
利用Kr F准分子激光器晶化非晶硅薄膜,研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫......
多晶硅有源矩阵液晶显示技术，特别是一体化多晶硅有源矩阵液晶显示技术以它独特的优点，越来越受到重视，并将在液晶显示领域中占有重要......
从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有......
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现：衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的......
A novel approach of two-step laser crystallization for the growth of poly-Si thin film on glass substrate is investigate......
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因，本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构，它可以......
<正>In this paper,polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical ......
在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载......
采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在很近的热丝与衬底距离（5mm）下沉积多晶硅薄膜，研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的......
An isotropic etching technique of texturing silicon solar cells has been applied to polycrystalline silicon wafers with ......
以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器......
We have developed an apparatus for producing high-density hydrogen plasma. The atomic hydrogen density was 3.0 × 10......
本论文的主要工作是结合目前实验室中现有的OLED制作技术和设备水平以及韩国PT-PLUS公司的LDD型Poly-Si TFT制备工艺,确定了全P沟......
本论文的具体工作是结合韩国PT-PLUS 公司的LDD 型P-Si TFT 的制备工艺,根据相关的设计规则、工艺文件及0LED 的工作条件,完成了64......
