P型ZNO薄膜相关论文
ZnO是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。此外,ZnO还具有来源丰富、价格低......
本工作采用螺旋波等离子体辅助磁控溅射技术制备了外延ZnO薄膜,结合X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见透射光谱、霍尔测量等多种......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数a ......
获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途......
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜......
期刊
采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X......
通过对ZnO基薄膜的载流子传输特性研究,实现对ZnO基薄膜电学性能的控制,解决氧化锌薄膜中难于实现有效受主掺杂的困难,提供一种制......
采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜......
本文主要对超声喷雾热解方法生长在本征Si衬底上的N—In共掺的p型Zn0薄膜的Raman光谱进行了研究。通过洛仑兹（Lorentz）模型和等离子......
采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光（PL）特性。观察到370～380......
本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,生长气氛为NH3-O2中.利用X......
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结......
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备出具有高结晶质量的ZnO：Mn薄膜,经N离子注入和退火处理,成功实现了ZnMnO：N薄膜的p型转变。......
本论文包括两大部分内容:第一部分针对氧化锌（ZnO）研究中存在的“p型ZnO的制备和性能”关键问题开展研究工作。目前,p型ZnO的制备仍......
作为一种新型的宽禁带化合物半导体材料,氧化锌(ZnO)在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnO具有直接带隙能带结构,室温禁带......
氧化锌（ZnO）是一种具有六角纤维锌矿结构、直接宽带隙半导体材料。ZnO材料室温下的带隙宽度为3.37 eV,另外,ZnO还具有较大的激子结合......
学位
ZnO是一种II-VI族直接带隙半导体，其室温下的带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。ZnO有与GaN相近的带隙，但其激子束缚能要远远高......
作为一种直接宽带隙半导体材料,氧化锌(ZnO)在室温下的带隙宽度为3.37eV,并具有高达60meV的激子束缚能,有望在室温乃至更高温度下......
本文主要是利用深低温强磁场条件下的变磁场霍耳效应测量和Shubnikov-de Hass(SdH)测量,并借助多载流子输运分析——迁移率谱分析......
近年来，基于ZnO稀磁半导体在自旋电子器件方面的潜在应用价值，过渡金属掺杂的ZnO材料被广泛研究。但由于P型ZnO材料的制备非常困难，获......
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行......
ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37 eV,对应近紫外光波段。同时,ZnO具有高达60 me......
ZnO是一种II-VI族的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。此外, ZnO还具有机电耦合性能好、储量......
ZnO是一种光电特性和压电特性相结合的直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO的激子束缚能在室温下高达60meV,在室温下可实现高效率的受激......
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，通过改变制备条件生长了一系列样品，样品退火后呈现P型导电特性。测量了样品的结构......
通过超声喷雾热解工艺,以醋酸锌和醋酸铵的混合水溶液为前驱溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了N掺杂ZnO薄膜,采用热质联用分析(TG-DS......
