SiO_xN_Y相关论文
研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。......
对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为......
研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧......
本文采用PECVD技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率......
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数......
对于快速热氮化（ＲＴＮ）的ＳｉＯｘＮｙ薄膜（ＲＴＮＦ），本文不仅采用Ｂ－Ｔ处理高频Ｃ－Ｖ测试研究了它的电荷特性，而且还借用椭圆偏振谱技术和俄歇电子能谱分析研究了它的光学性......
用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速......
提出了快速热氮化二氧化硅膜技术界面氮化模型。由该模型认为，快速热氮化二氧化硅膜中固定电荷及界面态的变化是高温处理及氮化剂向......
采用ＰＥＣＶＤ法制备了α－ＳｉＯｘＮｙ薄膜，观察到两组分立能级的强荧光发射，一组位于紫外光波段，由三个可分辨的发射峰组织，波长分别为３３０、３４０和３４５ｎｍ；另一组位于红光波......
为了研究SiO_xN_y光学薄膜在红外区的应用特性.文中采用PECVD技术沉积折射率为1.60的SiO_xN_y光学薄膜,设计制造了相同制备工艺参......
氮氧化硅(SiO_xN_y)有许多优良的特性,特别是其折射率可调、击穿电场高,因而在光学器件和深亚微米MOS技术方面有广阔的应用前景。......
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中......
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室......
SiO_xN_y是一种重要的光学薄膜材料,其折射率变化范围是1.46~1.97,介于二氧化硅及氮化硅薄膜的折射率之间。SiO_xN_y材料广泛应用......
