ZnS薄膜相关论文
ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文......
随着科技的进步和社会的发展,人类对于能源的需求越来越大,传统化石能源的弊端与日俱增,极大地推动了人们作新能源领域的探索。近......
本文研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳能电池用ZnS薄膜性能的影响.研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子......
本文采用化学水浴法，在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH 的水溶液中沉积ZnS(O,OH)薄膜。通过调整溶液中三种组成的比例，发现每种组份对薄......
我们描述一个直接原子的层免职方法种润滑剂钨二硫化物(WS <sub>2</sub>) 电影。WS <sub>2</sub> 电影在 Si (100 ) 底层和一部锌......
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。......
利用脉冲激光沉积(PLD)分别在Si片和多孔Si衬底上沉积了ZnS薄膜,考察衬底对ZnS薄膜结构和发光性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电......
本文采用磁控溅射法结合硫化法制备了Zn S薄膜和Zn S:Cu薄膜,并使用XRD,SEM,EDS,AFM,拉曼光谱,慢正电子束多普勒展宽能谱和UV-Vis......
用电化学阳极氧化法制备了不同孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法在其表面生长ZnS薄膜,研究ZnS/PS复合体系的结构......
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出ZnS薄膜.薄......
对不同温度下沉积的硫化锌(ZnS)薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究,结果表明:沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响,不......
用分子束外延(MBE)设备在Si(100)衬底上成功制备了单一相的ZnS 纳米薄膜。通过控制衬底温度、沉积时间和沉积速率得到了一系列......
ZnS是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.72～3.77eV,在太阳能电池、LED等光电方面有广泛地应用.ZnS具有良好的光学性能,但......
ZnS是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.6-3.8ev，在光电方面有很好的应用。国内对用化学水浴法制备ZnS薄膜一直没有......
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探......
本文使用Zn金属靶材，运用磁控溅射方法沉积了ZnO或Zn薄膜，然后在H2S或硫蒸气中硫化制备了ZnS薄膜。鉴于国内外关于硫化法制备ZnS薄膜......
采用化学水浴法(CBD)制备ZnS薄膜,用NKD-7000v薄膜分析系统测试薄膜的透过率和反射率,拟合出薄膜厚度和吸收系数。研究了制备过程......
采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、......
采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及紫外/可见/近红外光谱仪对薄膜的结......
采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对Z......
研究了pH值对电沉积ZnS薄膜结构、成分和表面形貌的影响。由薄膜的成分和结构分析可知：pH值高会使薄膜中的锌含量增加，薄膜变厚，且Zn／S......
利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的......
介绍了ZnS薄膜缺陷的分类、特点及成因，在此基础上，采用电子显微镜与原子力显微镜对不同沉积方式沉积的薄膜进行了观察、分析与计算，......
综述了ZnS的发光机制,脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理、特点,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响,展望......
采用化学溶池沉积法在玻璃衬底上制备ZnS薄膜。为了解联氨在沉积过程中的作用,采用金相显微镜、XRD、nkd-薄膜分析系统对薄膜形貌......
采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜（SEM）研......
采用化学水浴法,以乙酸锌、硫脲、氨水和去离子水为反应前驱物制备了Zn S薄膜.采用SEM、XRD、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱研究了......
太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中，采用氨水为主络合剂，水合肼为辅助络合剂，通过添加少量......
The electroluminescence thin films doped with erbium, fabricated by thermal evaporation with two boats, are analyzed by ......
采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜，用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应......
测量了低浓度下ZnS:TbF_3,ErF_3和ZnS:TbF_3,HoF_3交流电致发光薄膜(ACTFEL)中的Tb~(3+),Er~(3+),HO~(3+)主要发射峰的相对积分强......
用脉冲激光沉积（PLD）技术以多孔硅（PS）为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光（PL）光谱.结果发现,......
基于化学浴沉积法，采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜．对在不同沉积时间......
以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积 Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1 atm 压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线......
以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂和分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上成功制备......
在离子束辅助镀膜工艺中,离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素.本文对宽束冷阴极离子源溅射特性进行了研究,给出了离子源......
用脉冲激光沉积（PLD）方法在多孔硅（Ps）衬底上沉积了ZnS薄膜。用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光分光光度计分别研究了ZnS薄膜......
太阳薄膜电池ZnS缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备.实验发现以氨水为主络合剂、水合肼......
用化学水浴法在玻璃衬底上沉积ZnS薄膜。采用XRD、SEM、nkd-薄膜分析系统对薄膜的形貌、结构和光学性能进行了分析,结果表明：当氨浓......
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的......
Effect of substrate porosity on photoluminescence properties of ZnS films prepared on porous Si subs
ZnS 电影被搏动的激光免职与不同的孔在多孔的 Si (PS ) 底层上扔。样品的光致发光系列被测量在 ZnS/porous Si composites 的光性......
采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基......
采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列ZnS薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型ZnS薄膜。首次报道了......
采用激光分子束外延技术在Al2O3衬底上成功外延生长了ZnS薄膜。用X射线衍射、扫描电子显微镜和光致发光谱表征了衬底温度对薄膜结......
用电化学方法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法以多孔硅为衬底生长一层ZnS薄膜.ZnS的带隙较宽,对可见......
采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-V......
采用了化学水浴法制备异质结薄膜太阳电池中的窗口层ZnS薄膜。尝试了酸性溶液制备ZnS薄膜，讨论了溶液成分、水浴时间和温度对薄膜成......
