c轴择优取向相关论文
利用压电力显微镜(PFM)研究了ZnO薄膜的压电系数d11。ZnO薄膜是根据化学浸蘸技术从锌酸铵溶液沉积得到。利用SEM与XRD进行了结构分......
用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(至温下3.3eV)II-VI族化合物半导体，激子结合能为60meV，具有六方纤锌矿结构，其空间群为P6mc，晶格常数a=0.3249......
采用一维Mason模型，探讨体声波谐振器的频率特性，研究压电薄膜AlN、电极和声反射层膜厚对谐振频率的影响，优化谐振器的电学性能，为设计......
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构......
利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜，通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响；通过紫外......
采用直流磁控反应溅射，在Pt电极上沉积了A1N压电薄膜，并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射（XRD）、电镜扫描（SEM）、原......
作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌（ZnO），具有3．37eV的禁带宽度和较小的波尔半径（1．8nm）以及高达60meV的激子束缚......
利用中频直流磁控反应溅射法（MF-DC-MS）在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌（AZO）透明导电薄膜。利用x射线衍射（XRD）、四探针法和分光光度计深......
该文采用射频反应磁控溅射方法在蓝宝石(0001)基底上沉积了不同氮氩流量比下的ErAlN薄膜,并基于ErAlN薄膜制备了声表面波(SAW)滤波......
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜......
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO,Ga掺杂量为1.0%(原子分数,下同)),用X射线衍射仪(XRD)、扫......
采用热丝化学气相沉积（CVD）法制备了自支撑金刚石膜，再通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜上。通过光学显微镜、扫描......
本论文对铌酸锂材料的发展历史进行了回顾,并对其基本性能、制备方法、表征方法、应用前景及面临的问题等进行了阐述。详细介绍了......
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO∶Al薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）分别对薄膜结构和形貌进行了......
采用射频(RF)磁控溅射法在蓝宝石基片上制备M型钡铁氧体(Ba M)薄膜,研究了薄膜厚度对Ba M铁氧体薄膜的结构及磁性能影响。结果显示......
ZnO是一种II-VI族直接宽带隙半导体,有望取代GaN用于新一代的短波长光电器件。近年来以ZnO为沟道层的透明薄膜晶体管引起人们广泛......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV ),可以在室温下实现紫外光的受激......
ZnO薄膜是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特......
三元合金氮化铟镓(InGaN)由于其禁带宽度能够在0.7eV(近红外)-3.4eV(近紫外)连续调节而受到各国科学家及学者广泛的研究。特别是高......
