微波性能相关论文
采用高焓大气等离子喷涂技术,以纳米级ZnO、Al2O3和TiO2为原料,通过固相反应制得以ZnAl2O4为主相的陶瓷粉末,加入粘结剂聚乙烯醇(P......
本文围绕低温共烧铁氧体、玻璃陶瓷及其生料带、新型高Q微波陶瓷系列介质与元器件、微波毫米波复合介质与电路系列基板关键基础材......
本文分析了S波段大功率移相器的原理和移相器的多项关键制作工艺。通过对制作的移相器进行批量测试，微波性能较好，具有插入损耗小、......
介绍了S波段脉冲功率放大模块的设计过程及测试结果,模块的核心器件采用了S波段硅双极微波功率晶体管,以负载牵引法测量功率管的阻......
采用固相反应法研究了CaO-Li2O-Ln3O3-TiO3(Ln=Sm，Nd)系材料的微波介电性能。当摩尔比组成为CaO：SrO：Li2O：Sm2O3：Nd2O3：TiO2=15：1：9：6：6：63(简......
BaNdTiO陶瓷具有良好的微波介电性能,在微波介质谐振器中得到了广泛应用.本论文系统地研究了离子置换和烧结条件对BaNdTiO陶瓷的相......
采用固相反应法制备(Mg1-xZnx)2SiO4(0≤x≤1)微波介质陶瓷,研究(Mg1-xZnx)2SiO4陶瓷在0≤x≤1范围内的相演变、微结构与其微波介......
本文介绍了采用MX-400材料研制三厘米微波铁氧体吸收材料的工艺等。实验结果表明,该材料制作的微波吸收负载具有良好的微波吸收特......
NEDI has developed several MMICs in its 3 inch GaAs MMIC processing line． Shown onthe front cover are the photographs......
南京电子器件研究所于 2 0 0 0年进行了 Ga As功率 PHEMT的研究开发 ,完成了“WC2 0 0 3型高电子迁移率功率晶体管”项目的设定和 ......
本文介绍了光刻和离子束刻蚀的相关知识，并探索了正胶S1813的光刻条件和Ar+离子束刻蚀的工艺条件，并用摸索出的条件制备了高温超导约......
摘要：本文设计了片状磁性合金材料进行半导体材料纳米结构的包覆。整个过程通过简单的一步水热法合成了包覆有MnO2纳米片的Sendust......
微波元器件的快速发展对微波介质陶瓷提出了更高的要求,通常要求其具有适宜的介电常数、高品质因数以及低谐振频率温度系数。本论......
随着信息科技和微波通讯技术的迅速发展,功能材料和信息器件也在不断革新,社会工业发展对功能复合介质的制备方法、表征技术和性能......
项目名称:纺织品微波防护性能测试系统及评价方法的开发和应用项目简介:项目研究了国内外微波防护的测试标准和方法,针对纺织品的......
由PWP树脂（Polymethylpenteneresln）为原材料制造的食品包装容器如玻璃一般明净而不易破碎，其耐热、耐微波性能好，可以在蒸馏罐或微波......
为了满足整机应用要求,南京固体器件研究所正在研制一种X-波段固体电压控制振荡器(称简VCO)所需的微波砷化镓场效应振荡管.这种器......
本文叙述了目前在研制功率GaAs FET过程中对器件的输出功率有比较重要影响的诸多因素,例如器件的几何结构、源引线寄生电感、热阻......
基于己考虑速度饱和区这一新的分析模型分析了砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的工作,弄清了器件材料参数和几何参数以及等效电路......
叙述了亚微米单栅和双栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)的微波性能。也讨论了设计考虑和器件工艺。这些GaAsMESFET ......
本文报导了采用质子隔离和Si~+离子注入N~+接触层技术,提高了功率GaAa MESFET的微波性能和可靠性.已经制成栅长1μm,总栅宽600μm......
用实验的方法研究了GaAs功率MESFET性能与器件参数的关系。功率增益、输出功率随栅长的变化很灵敏,随着栅长的增加,功率增益的率是......
1983年南京固体器件研究所研制定型的GaAs FET,在频率高达12GHz时,有优良的微波性能。该器件的噪声系数最佳水平F_(min)≤1.5dB,......
在磁性金属微粉的雷达吸波涂层中引入导电纤维层具有减轻质量和展宽吸收频带作用,本文采用磁性金属微粉和短导电纤维制备了一种三......
一、引言自从七十年代初,性能优良的GaAsFET在国外开始投放市场以来,整个七十年代就成了GaAsFET飞速发展的时期。与过去的双极晶......
本文旨在介绍一种新型微波功率器件——Si垂直沟道功率场效应管,它能在0.8GHz输出10W,在1GHz输出8W功率;增益和效率分别为9分贝、4......
南京固体器件研究所采用In/PCI_3/H_2系统气相外延生长的n~+-n-n~+InP材料,采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄......
本文介绍了一种双栅GaAs MESFET的微波大信号模型。这种模型能预测小信号和大信号电路的器件性能。该模型是以前建立的普通MESFET......
为了提高GaAs功率MESFET的输出线性度,器件有源层掺杂分布的改进是一种 有效的手段。本文探索了有源层掺杂分布与器件输出线性度之......
本文较详细地分析了Si/α-Si异质结晶体管(HBT)的微波性能和工艺优点,简述了工艺过程,初步实验结果证实:Si/α-Si HBT具有较好的小......
在最近几年里,由于材料系统的革新和亚微米光刻的进展,使低噪声晶体管取得了振奋人心的进步。0.1μm栅长的成比例的GaAsMESFET,在......
本文介绍了高Q微波介质陶瓷材料D_3的研制结果。较详细地叙述了该材料样品制备过程中各种工艺的选择及控制方法。并列出用这种工艺......
众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代G......
通过传统的固相反应法制备Ti1/2Nd1/2联合取代Ca的CaWO4陶瓷，研究了不同Li1/2Nd1/2取代对材料相结构、烧结温度和微波介电性能的影......
本文介绍了超宽带环形器的结构和微波性能，论证了宽带结构的基本原理导致场结构的稳定性。最后利用环形器的非互易性公式对宽带特性......
概述了多模复合制导天线罩的特点及研究进展,从多模头罩的复合形式及复合头罩材料两方面介绍了红外/微波复合以及红外／毫米波复合制......
本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间......
高温超导滤波器在近几年得到了蓬勃的发展,因其的特性和做应用在当今的通信领域前景广阔,将其安置在移动基站的前端能够很好的提高......
Agilent PXA信号分析仪是现有高性能频谱分析仪的更新换代产品.它具有广泛的兼容特性及优异的射频和微波性能,适用于航空航天、国......
本文讨论适于宽带应用的微波低噪声GaAs MESFET的设计理论,并在4GHz下,计算了器件最小噪声系数、最小噪声源电阻、最小噪声源电抗......
