氧化镓薄膜相关论文
随着如今电子元器件更趋向于大规模集成化和微型化,传统半导体材料逐渐暴露出短板,因此,科研人员在自然界寻找一些能够取代传统材......
随着科学技术的快速发展,无论是军事还是民用领域,对光电技术的需求日益增多,光电科学吸引着越来越多研究者的注意。氧化镓具有超......
本文采用分子束外延在(0001)取向的蓝宝石基片上生长p-GazOs薄膜，并初步研究了其光响应特性。Ga分子束流采用K-Cell提供，氧分子束流......
该文从无机盐溶胶-凝胶方法出发,合成了目前常用PVD方法制备的氧化镓高温n型半导体材料,并研究了其氧敏感特性,阻温特性和响应时间......
氧化镓作为宽直接带隙(禁带宽度~5 eV)的半导体材料,由于其优秀的物理化学稳定性和优异的光电学特性,使其在高性能器件等应用领域......
Ga_2O_3作为宽禁带的半导体氧化物材料,在光电、压电、气敏、光敏等领域具有广阔的或潜在的应用前景。目前国内外对Ga_2O_3材料的......
作为新型的第三代宽禁带半导体材料,氧化镓由于自身的优异性能,在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。本文......
采用射频磁控溅射和N2气氛退火处理制备了多晶Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜.用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、荧光光谱仪对Ga2O......
随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一.氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、......
采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。在退火前,......
Formation of GaN Nanowires by Ammoniating Ga2O3 Films Deposited on Oxidized Al Layers on Si Substrat
镓氮化物的大数量(轧) nanowires 经由 Ga2O3 电影在一个石英试管在 950 点在氧化的铝层上扔了的 ammoniating 被准备了。当水晶的......
采用射频磁控溅射和n2气氛退火处理制备了多晶ga2o3薄膜和cu掺杂ga2o3薄膜.用x射线衍射仪、紫外可见分光光度计、荧光光谱仪对ga2o......
本文通过在ZnO/Si（111）衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜。然后将硅基Ga2O3置于管式石英炉中,在85......
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、光电能谱(X......
氮化镓（Ga N）纳米线,作为典型的宽禁带半导体纳米材料,不仅具有Ga N体材料优异的光电性能,还兼具了纳米材料的特性,在激光器、发光二......
Ga2O3包括六方晶型（α-Ga2O3）和单斜晶型（β-Ga2O3）等多种结构。其中，β-Ga2O3是一种宽带隙化合物，是当前世界上一个研究热点问题。在室......
单斜结构的氧化镓是一种直接带隙的宽禁带氧化物半导体材料,其禁带宽度约为4.8 eV~4.9 eV,其吸收带边对应深紫外光波段,非常适合制......
随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓作为一种直接带隙的宽禁带（Eg=......
