直流测试相关论文
本文在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,......
由于信息时代的到来及其迅速发展,使得通信技术在社会发展中扮演的角色越来越重要。光纤通信由于其传输速率快、稳定性强、携带信......
目前，在整机系统上，HC／HCT类电路应用还十分广泛。严格测试电路的功能及交、直流参数十分必要。在多年测试实践基础上，文章提出了HC系......
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道......
日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个......
目前所用的整体检定绝缘电阻测试仪的方法还存在一些问题,影响检定的准确度。本文介绍一种更为简单可行的整体检定绝缘电阻测试仪......
大规模集成电路工艺技术的发展,越来越使人们感到借助计算机参予设计和研制的迫切性。其目标就是要借助计算机在研制的过程中达到......
本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性,同时介绍了脉冲I-V分析技术,其能够对具有快速瞬......
介绍并分析了80C19616位单片机的基本结构与指令，从软件和硬件方面详细阐述了生成其测试码点的技巧与方法。
Introduced and analy......
一、引言随着晶体管电路应用的日益广泛,晶体管性能的测试鉴定引起了普遍的重视.晶体管参数的测试,主要是为电路设计服务的.但是......
采用探针卡片测试,是半导体器件中测的必由之路。目前国内无法制造,引进半导体设备的一些厂家配套引进一批探针卡片,均需付出几十......
简要介绍大型真空电容维护的必要性,从验收、测试、存储、维护等方面进行了说明,并对真空电容的上、下机方法进行了介绍。
The ne......
一、概述 本仪器是根据北京电子管厂设计的“NPN高频大功率晶体管（4S1～4S11系列）中间测试台”线路图按我们生产上的需要改制而成,属......
本文介绍一套性能优良,功能完备的低温强磁场下电子输运特性的自动测试系统。该系统由IBM—PC微机,Solartron F081高精度数字电表,......
近几年来,随着IC技术和计算机技术的迅猛发展,一些大型的IC测试系统不断被研制出来,并投入市场,成为大规模集成电路(LSI)和超大规......
煤炭科学研究总院合肥研究所和兖州矿业(集团)公司济宁二号煤矿研究出由电流传感器、可控双向电流源和电压测量、比较、报警等电路......
介绍了提高测试效率的SOC芯片在片测试的两种并行测试方法,结合上海集成电路技术与产业促进中心的多个实际的SOC芯片测试项目中所......
该文分析介绍了动力电池、针对体现动力电池健康状态重要指标的内阻的测量方法进行了介绍。介绍了采用直流测试方法和采用交流测试......
对低频大功率晶体管进行正偏二次击穿筛选是确保器件质量,减少功率管上机烧毁的一个必要措施.正偏二次击穿耐量是功率管安全工作区......
美国电话电报公司(AT&T)与中国邮电部和北京电信局的代表们最近对于在电话网络中如何实现用户线路的现代化,以及就采用用户线数字......
一、引言毫米波器件对阴极提出了高发射电流密度和低工作温度的要求。苏联自1967年开始,研究制成了压制型钪酸盐阴极,由于【3BaO&#......
<正>南京电子器件研究所成功制备了一种W波段的GaN三级放大电路。采用电子束直写工艺制备了栅长为100 nm的AlGaN/GaN T型栅,其结构......
为了更好地满足生产质量要求，严格测试电路的全部功能及交直流参数是十分必要的。在多年测试实践基础上，文章提出了数字电路测试程序......
在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅......
射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并......
半导体分立器件的产品特点是集成器件无法完全替代的，在集成器件快速发展的今天，其市场前景依旧十分广阔。随着国际生产大转移，大量半......
在初步介绍变压器有载分接开关切换特性试验波形交直流测试检测原理的基础上,对变压器有载分接开关交直流测试试验方法进行比对,通......
设计技术、制造技术和测试技术并称为集成电路的三大关键技术。随着技术的发展,特别是LSI、VLSI和SOC的出现,集成电路实现的功能日......
