SiNx薄膜相关论文
本文分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比......
场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种,对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极,而氮化硅(S......
作为一种器件表面介质膜,SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中,发射结表面钝化和减反射一......
随着微电子技术的发展,微电子器件的集成度不断提高,特征尺寸不断缩小,现已进入了纳电子学领域。由于纳米硅的量子限制和库仑阻塞等物......
PECVD薄膜沉积系统在半导体薄膜沉积过程中得到了非常广泛的运用,同时也是制造非晶硅薄膜太阳电池的主要设备。PECVD沉积的氮化硅薄......
分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从......
采用一种新的实验测量方案 ,将金属加热单元与温度探测单元合二为一 ,间接获得了在半导体和微电子学MEMS领域内有重要用途的SiNx ......
SiNx薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜,所以对SiNx薄膜的光学性质研究很有必要。本文采用等离子体增......
分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从......
氮化硅薄膜的制备过程是太阳能电池制造中的一个核心环节,我公司使用的Centrotherm厂家的管式PECVD设备及R&R厂家的链式PECVD设备......
在3.75eV的激光激发下,利用LPCVD在800-950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中,在室温下观测到1~5个高强度可见荧光的发射.通过TEM,IR,XPS......
采用磁控溅射法在AZ31镁合金表面沉积了SiNX薄膜。用场发射扫描电镜、X射线衍射、X光电子能谱等研究分析了薄膜的晶体结构、表面形......
用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜.分析了以硅为靶材,用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜......
通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量......
采用射频磁控溅射法在石英玻璃和不锈钢基底上沉积SiNx薄膜,以SEM和AFM观察薄膜的表面形貌,检测粗糙度和颗粒度大小对薄膜表面形貌动......
分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从......
研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿......
采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法在不同温度的Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅SiNx薄膜。在氮气氛中,于1 050℃下采用快速......
在多晶硅太阳能电池中SiNx薄膜是最常见的一种减反射膜,在沉积完SiNx薄膜后一般都需要经过一步高温烧结的工艺使银浆与发射区形成......
介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率 达15.7%的单体电池(面积103×103mm2)......
在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(siM)介质薄膜,并对薄膜进行......