浅能级杂质相关论文
通过氢有效质量理论（HEMT）对In0.65Ga0.35N（高In组分,Eg=1.31eV）太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能......
本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响t_(pd)的主要参数的温度特......
研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能级杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷......
载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一......
使用 J.A.Copeland 建议的二次谐波法直接描绘纵向载流子浓度分布的装置,描绘了 GaAs 低噪声场效应管所用的半绝缘衬底上带有缓冲......
得到室温下具有负阻的场致发光二极管。是采用含有深受主能级锰作主要杂质的的砷化镓半导体作基底,因而是P型半导体。在砷化镓基底......
半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质......
本文介绍了用深能级瞬态谱(DLTS)法测量GaAs MESFET的深能级杂质和缺陷。在有源层中一般没有测到深能级杂质和缺陷,但在有源层与缓......
学 术 论 文 期 页迎接中国微电子发展的重要年代…………………………………………,……··主编 林金庭11DC-12GHz GaA。微波单......
本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电......
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样......
本文研究了低温下半导体浅能级杂质的陷阱行为,计算结果表明:当补偿杂质浓度较高时,浅能级杂质将有明显的陷阱作用,并在10~(17)cm~......
本文研究了硅双极晶体管电流增益和截止频率的低温物理特性，提出了电流增益在低温下将随发射区杂质浓度的下降和基区杂质浓度的上升......
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流......
作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池材料中新的一员，InGaN材料具有在禁带宽度0.7eV～3.4eV范围内连续可调，几乎覆盖整个太阳光谱等一系列......
