电荷共享相关论文
随着集成电路（IC）制造技术向深纳米技术时代发展,电路的集成度和性能得到了显著改善。然而,随着电路节点的临界电荷随着电路集成规模......
单粒子翻转会使锁存器、触发器等电路中的逻辑值发生瞬态变化,影响芯片的可靠性。而且随着摩尔定律的发展,单粒子翻转正变得越发严......
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电......
基于三维TCAD器件模拟,研究了带有n~+深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应.研究结果表明在重离子辐照时,n~+......
铁电存储器拥有高读写速度、高循环次数以及超低运行功耗三大优势,并且采用的铁电材料具有很好的抗电离辐射能力,这使其在航空航天......
随着航天技术的不断发展,宇航集成电路逐渐向纳米工艺迈进。然而,工艺尺寸缩减导致新的辐射效应机制不断出现,在纳米工艺节点电荷......
随着半导体技术的发展,为了抑制短沟道效应、减少漏电流,具有三维结构的Fin FET器件应运而生,并且已逐渐成为集成电路产业中的主流......
以铁电薄膜的极化特性来存储信息的铁电存储器,具有非挥发性、高读写速度、低功耗、强抗辐射能力等优点,在航天电子器件中有独特的......
中子辐射存在于大气层、地表、核爆等环境中,其引发的单粒子效应对航空航天的电子设备稳定工作有较大的影响。随着集成电路工艺朝......
在纳米锁存器中,由电荷共享效应导致的多节点翻转(MNU)正急剧增加,成为主要的可靠性问题之一.尽管现有的辐射加固锁存器能够对MNU......
期刊
为了消除电荷泵的电荷共享效应,通过在发生电荷共享的节点预置一个特定的电压,设计出了一个适用于频率合成器的新型电荷泵。在Char......
基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种新型的栅压自举采样开关.采用镜像结构,增加了自举电容.采用时钟控制反相器,减少了MOS采样......
本文基于TSMC65nm工艺,并利用Sentaurus TCAD软件建立模型并研究NMOS和PMOS在电荷共享中电荷收集的物理机理,通过不同工艺条件、版......
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,M......
分析降低表面场（reduced surface field，RESURF）横向功率器件耐压机理，假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区，建立了一个新的R......
利用电路级模拟方法，在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响．结果表明，当被动反相器的尺寸改变时，脉冲削减效......
研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P......
针对NM0S场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,......
本文基于北京HI-13串列加速器的单粒子效应测试终端对0.15μm工艺的SRAM 进行了单粒子效应测试，再次验证了在截面曲线接近饱和区部......
为了消除电荷泵的电荷共享效应,通过在发生电荷共享的节点预置一个特定的电压,设计出了一个适用于频率合成器的新型电荷泵。在Char......
主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路，该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理，经过Hspic......
在分析传统电荷泵的一些不理想因素的基础上，提出一种新型的电路结构，以解决电荷泵的电流失配、电荷共享、电荷注入现象。本设计电路......
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共......
电荷泵是CMOS电荷泵锁相环中的一个重要模块,其性能直接决定了整个锁相环系统的工作稳定性和各项指标的好坏,但传统结构的电荷泵却......
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转（multiple-cell upset,MCU）类......
针对开关电容采样/保持（S/H）电路中由负载电容记忆效应引起的电荷共享问题进行了建模.电荷共享效应会导致运放建立幅度增加,根据所推......
横向高压器件是高压集成电路的关键器件,受到了众多学者深入的研究。随着半导体技术的快速发展,功率器件和常规低压器件等比例减小......
采样/保持电路(S/H)是模拟-数字转换电路(ADC)中的关键单元电路,而ADC则是VLSI数字信号处理系统中的重要模块。随着通信系统和消费......
电荷泵是CMOS锁相环中的一个重要模块，其性能决定了整个锁相环系统的工作稳定性和各项指标的优劣。针对传统结构电荷泵存在的电荷共......
本论文主要工作是探讨高位置分辨的像素阳极碲锌镉探测器在正电子发射断层显像装置中应用的可能性,并成功地利用350微米的像素阳极......
随着半导体工艺尺寸进入纳米尺度,器件之间的距离的减小,时钟频率不断增高,电路节点电容减小,关键电荷变小,导致电路节点之间的电......
随着CMOS工艺的不断进步,晶体管特征尺寸不断缩小,供电电压不断下降,节点电容不断减小,导致电路节点的逻辑状态发生翻转所需要的关......
我国航空航天技术正飞速发展,有越来越多的微电子器件、集成电路系统工作在外太空的辐射环境中,其中单粒子效应是影响电子系统正常......
随着集成电路制造工艺的发展,器件特征尺寸不断减小,器件间距也随之减小。当辐射环境中的高能粒子轰击半导体器件灵敏区域时,会在......
LCD(Liquid Crystal Display)显示技术是一种通过电压控制液晶象元的排列方式,从而实现对背光源透过率控制的显示技术;LCD显示器是......
随着半导体工艺的发展，器件特征尺寸越来越小，单粒子辐射效应已经成为辐射环境微电子器件可靠性的一个主要的影响因素。器件尺寸缩小......
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明：增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm......
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