高压电子显微镜相关论文
本文通过高压电子显微镜对不同蠕变伸长量和添加不同微量元素(Ti和Mn)的掺杂钨丝的观察,对掺杂钨丝微观组织结构与高温蠕变性能的......
近代科学技术对材料提出的要求越来越多,也越来越严格。为了满足这些要求,出现了一类介稳定态的新型材料,非晶态合金就是其中一个......
采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷......
题 目 作 者 期 数 页 数理论物理研究中应当正确对待的几个问题………………………………………………王竹溪 1 1迎接科学大会 展......
本文报道了α-Ti拉伸裂纹成核和扩展的高压电镜动态观察的实验结果,完整地观察到位错运动导致滑移带两端形成滑移台阶,由于应力集......
用电子显微镜电子衍射和电子显微分析、X-射线衍射和俄歇谱研究了淬火和淬火并回火的含碳0.3%的低合金钢。在高压电子显微镜下对断......
通过光学显微镜和高压电子显微镜对带内的变形石英进行显微构造超微构造观测和估算变形参数(σ_1-σ_3=85.0MPa,ε_s=10~(-9)～10~(-......
高压电子显微镜的原位技术是研究金属和其他材料中晶体缺陷的一种重要的、有效的方法。本文研究了中温条件下铜中辐照缺陷的形成、......
含有0.1％(体积)的直径为1.1微米的粒子的Al-6％(重量)Ni合金经冷轧(加工率为95％)并退火。其再结晶在粒子的周围形核,而且通过X射线及电......
报道了山东蓝宝石的部分物理—化学性质和优化处理结果。中子活化分析得出，平均全铁含量约为１％，钛约为０．０４％。穆斯堡尔谱学分析表明，大多数铁......
采用 130 0 0 0 0 e V高压电子显微镜 ,在温度 6 73K和 5 .4dpa(每个原子位移 )条件下 ,对电子束辐射焊接 STS30 4钢热影响区辐射......
经国家批准,通过东方科学仪器进出口公司从日本电子公司(JEOL)引进的400kV 高压电子显微镜,于1986年9月17日在中国科学院上海冶金......
用高压电子显微镜(HVEM)研究了被电子辐照的奥氏体不锈钢在400～720℃范围内,温度对其肿胀行为的影响。样品材料包括:固溶退火的316......
利用高压电子显微镜研究了00Cr17Ni14Mo2奥氏体不锈钢(AISI 316L)的辐照空洞肿胀行为。结果表明,在固溶状态下几乎不存在肿胀孕育......
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利用高压电子显微镜研究了00Cr17Ni14Mo2奥氏体不锈钢(AISI 316L)的辐照空洞肿胀行为。结果表明,在固溶状态下几乎不存在肿胀孕育......
利用离子加速器注氢和高压电子显微镜的电子辐照方法，研究了 Ｆｅ１ ｗｔ ％ Ｎｉ 铁素体钢中 Ｎｉ 合金元素的辐照诱导偏析现象．实验结果表明， Ｎｉ 与空位......
本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生......
砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年来在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题。为......
1.引言对称的单场透镜已被成功地应用在高压电子显微镜中,近年来,不对称的单场透镜也受到了重视。极靴磁饱和对单场透镜的电子光......
原子在三维空间按一定规则周期性的排列构成一个完整晶体结构,其中各原子面的规则排列未受到任何破坏,这样一种物质就叫做完整晶......
提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶......
本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺......
耐熔金属硅化物与掺杂多晶硅结合作为金属—氧化物—半导体(MOS)器件的栅电极和集成电路的内联线材料已成功的应用于超大规模集成......
采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷......
①目的探讨高压电子显微镜观察厚切片标本的技术.②方法采用锌-碘-锇酸染色方法及AcPase(酸性磷酸酶)细胞化学技术,制作高压电子显......
本文介绍了以 TfCl4、BaCl2、H2C2O4为原料合成 BaTiO（C2O4）2·4H2O,再经过煅烧制取BaTiO3的工艺流程、技术条件及实验结果。制得的......
