nisI相关论文
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通......
研究了用 Ni进行金属诱导横向晶化 ( MIL C)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化 ,改进了MIL C的结构 ,通过在埋层氧化......
近两年数码器材的更新速度很快,无论是相机本身还是镜头。这一次,佳能EF11-24mm带着极广焦段、画质精美的超广角之王称号席卷归来,......
我们对NiCr-NiSi热电偶的热电势值随温度的变化关系进行了测量,同时在窒温和液氮温度下,压力从0→18kbar(1ba=10~5Pa)变化时,对该......
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随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,器件的源漏结深和多晶硅栅的厚度将越来越小;同时CMOS集成电路也需要更低温度的......
研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的......
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使......
利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实......
随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100nm，传统自对准硅化物材料，如TiSi2和Co—Si2，由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽......
相机的数字滤镜可以实现一些柔光镜、星光镜等效果,然而很多滤镜是机身无法集成的——ND镜就是其中一款。滤镜是接在镜头前的高级......
提出了“自上而下”制作硅化镍纳米线的方法，研究了制备出的纳米结构的形成过程及微观形貌。这种金属硅化物纳米线的制作方法对于集......
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程。结果表明，加入Pd层后，退火形成Ni1－xPdxSi固熔体，该固熔体比NiSi的热稳定性好，使得Ni......
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程。结果表明，加入Pd层后，退火形成Ni1－xPdxSi固熔体，该固熔体比NiSi的热稳定性好，使得Ni......
In high-speed cutting, natural thermocouple, artificial thermocouple and infrared radiation temperature measurement are ......
以Ni-42Mo-28Si和Ni-36Mo-24Si(质量分数计)合金粉末为原料,利用激光熔敷技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材表面制得由三元金属硅化物Mo2......
在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼......
乳酸菌(Lactic acid bacteria)是人们公认的食品级微生物。其被广泛应用于食品生产、医学工程、家畜养殖和发酵产业等。微生物制剂......
In-Situ Rs and Improvement in Thermal Stability of Nickel Silicides Using Different Interlayer Films
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In-Situ Rs and Improvement in Thermal Stability of Nickel Silicides Using Different Interlayer Films
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乳酸链球菌素(nisin)是在乳酸乳球菌发酵过程中产生的一种天然抑菌剂和防腐剂,被广泛的应用在医疗、食品保护等行业中。Nisin的抑......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑......
近日，耐司公司发布了旗下最新型号的方形滤镜系统——nisi f-stopper pro 100，该系统包括耐司全新开发的方形滤镜支架、nisi nd1000......
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非......
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖而透射电镜（XTEM）对样品的NiSi／Si界面进行了研究．在未掺杂和掺杂（包括As和B）的硅衬底上通过物理......
随着集成电路器件尺寸的持续缩小,与Si超低接触电阻率的要求以及新型源漏结构器件的出现,迫切需要降低金属硅化物的接触势垒。因此......
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,与之相应的自对准硅化物（SALICIDE）材料和工艺也在不断发展创新。由于窄线条效应......
乳链菌肽(Nisin)又称乳链菌肽或乳酸链球菌素,是由乳酸乳球菌乳酸亚种(Lactococcus lactis ssp.lactis)产生的一种具有抑菌作用的......
为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术......
随着CMOS制造技术的进步,与之对应的自对准硅化物(SALICIDE)的材料和工艺也在不断发展和创新。工业界先后采用二硅化钛、二硅化钴......
随着CMOS集成电路制造技术持续向纳米级工艺推进,与之相应的自对准硅化物(SALICIDE)材料和工艺也在不断的发展创新。最新的研究表......
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