P-GaAs相关论文
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压......
据Electronics Letters 1983年№11刊报道: 美国海军实验室的N.A.Papan等采用Au-Mg(1500(?))/Mo(2000(?))/Au(3000(?))结构实现了......
本文从欧姆接触的基本理论出发,利用溅射Ti-Pt的方法,对p型GaAs和p-InP的欧姆接触进行了研究。得到了比接触电R_c与Ti-Pt膜总厚度......
本文用AES,SEM等方法研究了p-GaAs/Cr/Au和p-InP/Cr/Au体系界面,在热处理过程中的互扩散现象。用SEM观察了热处理后的表面形貌。并......
从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测......
用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质，样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３，形变量分别为２．５％，５％，７．５％，１０％和１５％，室温正电子寿命测量结构显示，形变......
