薄膜微结构相关论文
处于准同型相界(MPB)附近的0.80Na0.5Bi0.5TiO3–0.20K0.5Bi0.5TiO3 (BNT-BKT20)是一种具有潜在应用前景的无铅压电/铁电薄膜材料......
无论是在300℃或室温下,用PVD方法淀积的ZrO_2薄膜,达到一定厚度后都出现晶相非均匀性,在基底侧为四方相,空气侧为单斜相.本文给出......
文章利用维生素E(VE)Langmuir单分子膜一步还原氯金酸根离子(AuCl4-)制备了含Au粒子的复合薄膜,通过TEM,FTIR和UV-Vis等测试手段对......
本文通过分析论证：薄膜的微结构与工艺条件密切相关.YBCO薄膜的Tc受到薄膜的微结构及薄膜的厚度制约.我们用不同的基片相同的实验方......
用热丝法制备了纳米晶硅薄膜．通过Ｒａｍａｎ散射谱及Ｘ射线谱，系统地研究了沉积气压Ｐｇ、高Ｈ２稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(......
从有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池的发展来看，如何使薄膜具有高质量的结晶性，对提升电荷分离效率、传输速率和扩散长度至关重......
用退火的方法改变了纳米桂（nc－Si：H）薄膜的微结构。用Raman散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响......
利用磁控溅射方法在镀Pt的Si(100)衬底上沉积制备NiO_x薄膜,研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果表......
高致密、结晶好的钽酸锶铋陶瓷靶由ＳｒＣＯ３、Ｂｉ２Ｏ３和Ｔａ２Ｏ５粉末混合、预烧、压模和烧结而成，预烧和烧结温度范围分别为９００～１０００℃和１０００～１４００℃。用脉冲准分子激光沉积技......
采用多靶轮流溅射技术，用Ｔｉ和六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计研究了薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，室温下沉积的Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄......
采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构......
对钨基材料表面上射频磁控溅射沉积的碳膜进行了氩离子和氮离子的辐照，并作了XRD及XPS的分析。分析结果表明，不同离子辐照引起碳膜微......
利用 Kr F准分子激光器及聚酰亚胺靶在硅衬底上沉积出了类石墨薄膜。借助于 X射线光电子谱及 Raman光谱手段对薄膜微结构进行了分......
介绍了采用角分辨X 射线光电子解谱 (angleresolvedX rayphotoelectricspectrum(ARXPS) )测试薄膜不同角度光电子能谱强度 ,计算电......
以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.......
用磁控溅射工艺,在Si(111)基片上沉积不同调制周期L的Cu/TaN多层膜。用原子力显微镜(AFM)测定薄膜微结构与表面形貌,并基于分形理......
用丝网印刷法在氧化铝基底上制备了La0.6Sr0.4MnO3薄膜,通过扫描电镜、能谱仪和四探针测试仪分析了薄膜的显微组织、元素分布及导......
采用射频磁控反应溅射法在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)的金刚石衬底上制备了AlN薄膜以及AlN/Si和AlN/Ge膜。通过......
采用PLD方法,在573K条件下制备了AlFe单晶合金薄膜.X射线衍射与透射电子衍射表明,AlFe空间点群为PM-3M,晶格常数a=0.297nm(略大于b......
采用热丝化学气相沉积法制备B掺杂纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究了不同退火温度对B掺杂纳米金刚石薄膜的微结......
利用直流磁控反应溅射技术在玻璃衬底上沉积了单相Ag2O薄膜,并采用真空热退火对单相Ag2O薄膜在不同热退火温度(TA)下进行了1h热处......
实验研究了不同晶化率的微晶硅（μc-Si）薄膜的光衰退现象,提出了制备高稳定性硅薄膜太阳电池材料选取方案。研究结果表明,μc-Si中的......
研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5薄膜的光学特性、应力、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量和离子束流对薄......
本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明......
采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)......
对硫化锌粉料、硫化锌半导体微晶薄膜进行了Ｘ射线光电子发射谱剖析。获得粉料、薄膜表层及表层下的电子态信息，揭示了硫化锌粉料、薄......
通过溶胶-凝胶技术在Si衬底上制备了x从0.80增大到1.20的Bi x FeO3薄膜样品.分析了Bi元素含量的改变对BFO薄膜微结构和光学性质的......
采用多靶反应磁控溅射技术制备了一系列不同Si含量的Ti-Al-Si-N复合膜。采用能谱仪、X射线衍射仪、三维轮廓仪、原子力显微镜和显......
为了研究ELA前处理方式对结晶效果的影响,调整ELA Pre-clean的参数(清洗转速、HF-Clean时间、03处理电压),然后进行ELA晶化过程,借......
详细研究了衬底温度对超声喷雾热分解工艺制备的大面积绒面SnO2：F薄膜的影响和薄膜微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系，试验曲线......
本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n 型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜，系统研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和......
用X射线衍射和X射线光电子能谱技术，对分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析，获得粉料、薄膜表层及表......
采用等离子化学气相淀积(PECVD)技术和离子注入方法，制备掺铒a-Si:H,O薄膜。在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光(PL)。研究了......
纳米Si薄膜由大量的超微Si晶粒和大量的晶粒间界面区组成。这一特殊的结构造成纳米Si薄膜具有较大的压阻效应。该文讨论了薄膜微结......
该报告研究工作的核心是力图解决纳米硅的发光效率问题,为最终实现硅基发光器件创造条件.首先分析制约纳米硅发光的不利因素.通常......
该文的主要工作是研究纳米NiAl单层膜和NiAl/Ni复合多层膜从沉积制备到退火晶化的生长过程和微结构演化行为.该工作使用直流磁控溅......
本文采用射频磁控溅射法制备钙钛矿结构La1-xCaxMnO3（LCMO）薄膜,采用热重-差热分析仪（TG-DSC）、X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X射......
本文研究了溅射的沉积工艺参数对 Pt 电极上沉积的BST组分梯度薄膜微结构与电学性能的影响。实验结果表明：BST组分梯度薄膜晶粒大小......
