氧化钒薄膜相关论文
高速飞行器的光电窗口对于探测器至关重要,易受高能武器的干扰,因此高能武器防护技术就极其重要。热致变色薄膜由于具有瞬时高温特......
论文以碳纳米管悬浮液和掺杂在石英玻璃中的碳纳米管以及氧化钒薄膜为研究对象，对其在激光辐照下的光限幅行为和机理进行了一系列的......
VOx films fabricated by direct currect (DC) magnetron sputtering using a high pure vanadium metal target (99.99%) are re......
采用磁控溅射及快速热氧化法在c-Al2O3基底制备出高质量的氧化钒薄膜。首先，分析结果表明所制备的氧化钒薄膜表面颗粒大小均匀，表面......
基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制......
利用真空热蒸发在石英基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜, 研究厚度对薄膜的结构、形貌和光学特性的影响。薄膜的结构由X射线衍射(......
采用直流磁控溅射的方法分别在普通玻璃与硅片上制备了氧化钒薄膜, 在大气及真空氛围下分别对样品采取了退火处理, 测量了退火前后......
采用磁控溅射法,以VO_2为溅射靶材在硅和石英基底上制备出纯VO_2晶相(B相和M相)薄膜。借助衬底上籽晶层的辅助,将VO_2薄膜沉积过程......
随着现代社会信息技术的快速发展,智能化越来越成为信息系统发展的重要趋势,各种高性能电子元器件为新技术发展提供了支撑。氧化钒......
报道一种制备高性能氧化钒热敏薄膜的方法和其应用.采用反应磁控溅射薄膜沉积技术,通过改变氧化钒热敏薄膜沉积时溅射功率,从而调......
氧化钒具有多种价态共同存在的性质,其中VO2以其独特优异的光学特性而得到广泛的研究。当温度升高到68℃左右,VO2会发生半导体相到......
过渡金属钒与氧结合可以形成多种价态的氧化物，在光学和电学方面展现出独特和优异的性质，是目前国内外的研究热点。氧化钒薄膜在光电......
在钒的氧化物中,VO、V_2O_3、VO_2、V_3O_5、V_6O_(13)和V_2O_5具有温度相变特性,当材料温度低于相变临界温度时,该材料显示为半导......
学位
钒氧化物由于具备热致相变等特殊性能得到研究者的广泛关注,并在光电元件、润滑、传感器、多相催化等领域得到应用,目前应用微结构......
氧化钒作为一种具有典型半导体-金属相变特性的半导体材料，一直以来都备受关注。二氧化钒的相变温度约68℃，最接近室温，相变过程中伴......
VO_2具有接近室温的金属-绝缘体相变(MIT)温度(68 ℃),相变过程伴随着电学、光学、磁学性质的突变,其中蕴含丰富的物理内涵,对该相......
VO2是一种相变型金属氧化物,随温度的升高,在相变温度（Tc=68℃）发生从低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变,同时,伴随着电阻率和......
氧化钒(VOx)具有廉价,高稳定性,良好的光学活性和电学活性等特点,是富有潜力的金属氧化物材料。同时,VOx能级范围宽广,易制备,制成......
氧化钒薄膜及其在微电子与光电子领域中的应用已经成为国际上相关领域研究的热点之一。在某一特定的温度处,氧化钒薄膜发生金属-半......
在自然资源日益匮乏的当今,节能环保逐渐成了人们的生活理念。太阳能的有效利用也成了当前研究的热点之一。二氧化钒(VO_2)金属-半......
氧化钒材料在热或者光的激励下可发生优异的半导体-金属相变。这使得它在光开关、激光防护和红外探测等方面有着广泛应用。本论文......
本论文利用热氧化法和直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜,主要研究热氧化温度、溅射电流、Ar/O_2流量比等实验参数对氧化钒薄膜物......
氧化钒薄膜是优异的热敏材料,在许多技术领域中具有广阔的应用前景,已成为国内外功能材料研究的热点之一。本论文针对非制冷红外探......
VO2是一种倍受关注的智能温控材料,随着温度的变化,在68℃时,其电学、光学性质随着晶态结构发生从低温半导体相—高温金属相的转变......
采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄......
采用高频磁控溅射工艺制备了两种不同性能的V2O5薄膜,并研究了溅射总压对其微观结构、循环伏安特性及电致变色特性的影响. 结果表......
采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄......
采用直流磁控反应溅射在Si(1 0 0 )衬底上溅射得到 (0 0 1 )取向的V2 O5薄膜 .x射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和傅里叶变换红外......
主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度......
在衬底上溅射沉积一层金属钒膜,然后对其退火制备氧化钒薄膜。研究了原位退火热处理和后续退火热处理对氧化钒薄膜成分及其热敏性......
利用溶胶 凝胶法在SiO2 Si衬底上沉积高取向的V2 O5薄膜 ,在压强低于 2Pa ,温度高于 40 0℃的条件下 ,对V2 O5薄膜进行真空烘烤 ......
采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所......
采用V2O5粉末为原料、苯甲醇、异丁醇为溶剂，通过溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了用于非制冷红外探测器件热敏材料的氧化钒薄膜。......
通过反应离子溅射沉积和后退火工艺制备出优质微测辐射热计用的氧化钒薄膜.对薄膜退火前后进行了扫描电子显微镜分析,结果表明,制......
军事目标的抗强激光毁伤是亟待解决的热点难点问题,利用氧化钒的相变特性进行激光防护是当前这一领域的热点之一。本文采用直流磁......
文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备V02薄膜，研究了退火温度与时间对该薄膜相变和性能的影响。采用原子力显微镜（AFM）、X射......
用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品（孔隙率为80％±2、厚度为110μm时，导热系数可降低至0．20W／m·K），并在其表面......
采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程......
对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻-温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数......
采用直流溅射法在石英衬底上沉积不同厚度的金属钒（V）膜,在空气氛围中进行不同温度热氧化处理获得性能最佳的退火温度和薄膜厚度。用......
氧化钒薄膜是非致冷红外焦平面探测器的重要组成部分,光电特性一直是国内外的研究热点。用反应磁控溅射方法在K9玻璃衬底上制备了......
氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一.本文综述了V2O5和VO2薄膜电学性能与薄膜组......
采用射频磁控溅射在石英玻璃基底上反应溅射制备单斜相（M相） VO2薄膜。利用V-VASE和IR-VASE椭圆偏振仪及变温附件分别在0。5—3。5 e......
采用直流反应磁控溅射法，通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜，利用四探针测试仪检测了薄膜的......
采用直流对向靶磁控溅射的方法在SiO2／Si衬底上制备了具有（001）择优取向的V2O5薄膜，利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试......
