相移掩模相关论文
:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。
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讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子......
设计并实现了一种暗域相移掩模（PSM）问题的并行算法。首先根据“分而治之”的原则，将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版......
随着超大规模集成电路制造进入深亚微米时代,版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。交替型相移掩模技术通......
根据所需光刻图形的分布，反推掩模结构的思路，提出了一种基于交替投影算法的掩模设计方法。该方法设计出的掩模为振幅和相位连续。并......
针对现代光刻中，超大数值孔径的情况下，通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确，必须得考虑倾斜照明带来的阴影效......
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型......
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适......
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合......
介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原理和实验系统设计.提出一种用可移动反射镜使写......
先进相移掩模（PSM）制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸（CD）为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC（光学邻近校正）......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
提出了一种提高相移掩模（PSM）条宽偏差（CD MTT,mean to target）精度的方法。在掩模制备过程中,条宽偏差的影响因素很多,基板材质、图形......
在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相......
光学成像系统分辨力存在衍射极限的本质在于，携带物体精细结构的光场信息表现为倏逝波行为，无法参与成像，导致光学显微镜的分辨力只有......
极紫外光刻技术(Extreme Ultraviolet Lithography,EUVL)被公认为是最具潜力的下一代光刻技术之一而受到广泛研究。作为光刻整机的......
首先通过对０．３５μｍ 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相......
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模......
