硅基板相关论文
针对硅基系统级封装技术的发展需求,以及硅基板上传统的信号传输结构传输损耗大、抗串扰能力差等问题,提出一种新型的硅基双介质集......
压电换能器是一种依靠压电材料的正、逆压电效应来实现电能与机械能之间互相转换的器件。压电换能器为超声技术应用的主要工具，其种......
YBCO高温超导薄膜在红外探测器、量子干涉器等众多领域有非常广阔的应用前景，目前制备这种薄膜的主要方法有磁控溅射，激光脉冲沉积等......
氧化锌（ZnO）作为Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.4 eV左右,同时ZnO激子束缚能高达60 meV,在光电、催化、传感以及生化等......
针对传统的圆柱型硅通孔(TSV)垂直互联结构的厚度薄、结构可靠性低等缺陷,本文设计了一种新型基于MEMS体硅腐蚀工艺的硅基垂直互联......
1、简介rn南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互......
在今年的幕尼黑上海电子展上,TDK和EPCOS(爱普科斯)公司重点推介了高度集成的多通道电源管理模块系列,适用于智能手机和平板电脑。......
将多芯片LED与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计，保证了3—10W的多芯片集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作．恒流源采......
在含有Ca-（2＋）和PO_4-（3-）的电沉积液中,以硅基板为阴极,在其表面制备了HAP涂层,并用XRD、SEM、AFM及纳米压痕对涂层进行表征。通过对不......
采用溶胶-凝胶法,以Ti(OC4H9)4为前驱体,用提拉法在硅基板上制备了掺Fe的TiO2氧敏薄膜,对薄膜物相结构进行了X射线衍射(XRD)测定,......
基于硅基板设计了一种4.5匝的二维平面螺旋电感结构。针对该结构所占基板面积较大的问题,分别提出了基于硅通孔(Through Silicon V......
将集成功率级LED与集成恒流源电路进行一体化混合集成工艺设计，保证了3～10W的集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作。恒流源采用......
基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S......
通过热应力有限元仿真及基于“菊花链”假片样品的温度循环累积试验,对采用2.5D TSV硅转接基板的超大规模FC芯片焊接组件进行了热......
给出了一个基于硅基板的6芯片MCM设计实例.设计中对散热、耐压及抗干扰等进行了优化,使用Zeni EDA工具进行MCM布局、硅基板的版图......
富士通半导体（上海）有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓（GaN）功率器件的服务器电源单元成功实现2．5kW的高输出功率，富士通半导体......
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片......
分析了倒装芯片技术在光电子器件封装中应用时对基板和焊料的性能要求,在硅基板上设计和制作了用于激光芯片和光电探测器贴片的焊......
硅基微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System,MEMS）在消费电子、军事、航空航天等领域有着广泛的应用。低温共烧陶瓷（Low temper......
<正> 多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种......
1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连，将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基......
近年来,便携式发展和系统小型化的趋势,要求芯片上集成更多不同类型的元器件,如RF IC、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和......
