无位错单晶相关论文
日本自1960—1961年硅晶体的生产开始工业化以来,20年间硅晶体技术取得的进步由表1可见其梗概。在这20年里,硅晶体生长和加工技术......
本文从 GaAs 体晶体的补偿比计算得的 D·V_(Ga)(杂质-镓空位)浓度,来估计 n 型掺杂晶体的“掺杂效应”(通过掺杂降低晶体位错密度......
在半导体器件制造中,一般说来,半导体晶体中的位错过多,会使器件性能变坏,这是由于位错提供了杂质沉积的核心,从而造成微等离子击......
本文叙述了水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶的工艺,介绍了三温区炉的结构,论述了掺Si—GaAs晶体与石英舟的沾润和单......
随着电子工业的发展,硅材料取得了迅速的进展。特别是最近几年,由于集成电路(IC)技术,特别是金属-氧化物-半导体大规模集成电路(M......
最近随着集成电路技术,特别是金属-氧化物-半导体大规模集成电路技术的发展,根据对器件的高可靠性、高集成度、高功能、高产量的......
在高频直拉单晶炉中,适当增加石英坩埚的高度,并在坩埚外附加一个石英套管,使之形成一个较为合理的热场。在这个新的热场中已拉制......
在液封直拉法中,采用镓、砷直接合成工艺,在特定的热场下,应用缩颈技术,最大可制得直径、为30毫米,长9厘米重约220克无位错单晶,并......
引言砷化镓是重要的半导体材料,最近几年发展很快。为了加速我国电子工业的发展,早日实现四个现代化,对砷化镓的现状进行综合讨论......
本文在水平生长 GaAs 单晶中首次应用了等电子掺杂技术,在制备大截面晶体进一步降低位错密度方面取得了显著效果。研制的 HB-12型......
GaAs IC,OEIC作为硅材料以后的技术,其发展前景引人注目。很多研究机构或厂家进行了大力研究和开发。1981年10月,光共研刚成立时,......
<正> 近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体......
