热电子效应相关论文
热电子效应是当今凝聚态物理学研究的前沿课题。纳米管是一个非常广泛的结构,其具有独特的力学、光学、和电学性质,研究其中的热电......
ZnO材料近年来成为半导体光电器件领域的研究热点。当传统的ZnO薄膜受限于p型掺杂的问题而遇到瓶颈时,微纳器件由于其灵活多变的器......
本文系统研究了AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律.研究发现低漏......
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子......
GaN基HEMT器件具有的大电流、高功率及良好的频率特性，可覆盖2-40GHz频段内的无线通讯领域，尤其是在基站、远距离空间通讯等需要高功......
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料包括GaAs、InGaAs、GaN在现代微电子工业和光电领域的占据重要的地位，GaN材料由于宽的禁带和高的热导率等独特性......
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在电子与光电子器件领域具有广阔的应用前景，在国防、商业、科学等诸多领域发挥了重要作用。Ⅲ族氮化物无疑是其......
GaN基HEMT器件是新一代微波及毫米波功率器件,在频率、增益和噪声性能等方面展现出了显著的优势,被视为未来5G时代的核心电子器件......
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退......
氮化镓(GaN)半导体材料由于禁带宽度大、电子迁移率非常高、耐击穿电场高、耐热性能好以及抗辐射能力优异等特点,故其是制作高频、......
介绍了不挥发存储器单元ＦＬＡＳＨ的工艺过程。在工艺模拟的基础上，模拟器件利用热电子注入效应实现写操作和利用Ｆ－Ｎ隧道效应实现擦操作。分析浮......
<正> 一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,......
