mMIC相关论文
单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业，近年来随着设备的发展，对机器的需求增加，对可靠性的要求也提高了。单片有......
阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计，该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器，具有高集成、......
随着无线通信时代的加速发展,一些高效的数字调制技术在卫星通信系统中得到了广泛应用,这也使得系统中的传输信号的峰值平均功率比......
太赫兹技术近年来成为热点研究领域,在通信、电子对抗以及医学成像等民用军用领域前景广阔。太赫兹系统研究重点是单片集成电路与......
本文基于0.15um GaN on SiC工艺设计了一款工作于Ka波段的高效率两级MMIC功率放大器。仿真结果表明:该功率放大器在34-36GHz频段内......
微波单片集成电路具有体积小、批量生产成本低、可重复性和可靠性强等显著优势,经过几十年的发展,已经成为了通信,国防,航空航天等......
毫米波引信具有探测精度高、目标识别率大、抗干扰性能好等优点,是无线电引信研究的重要方向之一。本文主要针对毫米波引信探测系......
射频功率放大器作为射频前端中发射链路的重要部件,其主要功能是将已调制完成的小功率信号进行放大处理。当前,各种无线技术的快速......
进入21世纪,军用以及民用的信息交换需求大幅增加,射频通信领域的发展迎来前所未有的关注,功率放大器以在射频电路中承担着对传输......
随着第三代北斗系统正式组网,我国已经实现了真正意义上的全球导航系统。北斗系统的定位和短报文服务对卫星通信导航终端设备的传......
针对射频系统小型化,智能化,多功能化的需求,本文基于GaN工艺设计了一款工作于2-10GHz的MMIC宽带可重构功率放大器。仿真结果表明:......
随着集成电路相关领域技术的不断发展,在单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC）性能不断提高、封装不断......
本文通过对上变频边带抑制和下变频时镜频抑制原理分析,通过集成开关对中频电桥的隔离端进行切换,来改变中频电桥对IQ信号的相位合......
美国休斯研究所(HRL)称,他们制造出具有前所未有性能的两款GaN基HFET放大器MMIC。他们首先制造出33GHz(Ka波段)功放MMIC,其输出功......
Hittite微波公司宣布开发出用于点对点、点对多点、甚小孔径终端、军用和太空用途的三款新的GaAs pHEMT中功率放大器芯片。每款放......
据《i-Micronews》May25th.2010报道,德国Fraunhofer大学采用390μm的SiC衬底开发了Ka波段AlGaN/GaN HEMT大功率MMIC。该HPA MMIC......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上......
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软......
Custom MMIC公司将于5月19日到21日在美国亚利桑那州菲尼克斯市举行的2015国际微波研讨会上发布几款新型砷化镓和氮化镓MMIC放大器......
报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设......
采用GaAsPHEMT工艺,设计了一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC.该放大器内部集成了带通复合匹配网络结构的宽带输入匹配电路,......
期刊
本文展示了一种采用混合集成形式,用于测速雷达的W波段连续波收发组件。该组件中心频率为fo GHz,带宽为1GHz。测试结果表明,该组件......
随着半导体技术、通讯产业的不断发展,更快的信息传输速率及更宽的工作频带需求不断增加,对于新标准系统中器件性能要求也不断提高......
本文以某款在收发功能组件装配过程中烧毁的GaAs功率单片为例，利用故障树对其故障进行定位，而后进行了全面深入的失效分析，发现器件的......
功率放大器是Ka频段通信系统，特别是卫星通信系统中的重要器件。本文介绍了MMIC(单片微波集成电路)器件工艺。综述了近年来国内外对......
报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17......
【摘 要】本文介绍了有源相控阵雷达的发展状况、组成及工作原理，对有源相控阵雷达在预警机上的应用进行了分析与研究，最后对有源相......
提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器.采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2 dB与4 dB的衰减位.网络在整个带宽内具有......
在GaAs基片上实现的多级级联3dB耦合线开关反射式宽带单片数字移相器在相移精度、输入回损等关键性能上良好,但通常面积很大,而多......
采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图......
目的 探讨急性白血病(AL)患者骨髓单个核细胞(MNC)主要组织相容性复合物Ⅰ类链相关基因A/B(MICA/B)及膜型MIC分子(mMIC)的表达及其......
介绍X波段25W固态功率放大器单元模块的设计方法和流程,用ADS对微波固态偏置电路进行仿真并且优化,给出仿真结果和最终的设计版图......
本文设计了一款工作在3GHz-6.5GHz的宽带GaAs MMIC双平衡混频器.RF/LO频率范围是3GHz-6.5GHz,IF频率范围是0.1-2.8GHz.采用的是WIN......
Limited by increased parasitics and thermal effects as device size increases, current commercial SiGe power HBTs are dif......
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩......
基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联......
在叙述常见几种成像系统的基础上,重点阐述了被动毫米波成像原理及其系统结构,提出了基于MMIC被动毫米波成像的关键技术,指出了应......
定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行......
采用0．5μm GaAs pHEMT工艺研制的5．2～5．8GHz有源单片式巴仑芯片，最终测试表明：工作带宽之内，芯片输入输出驻波均小于1．5，两输出端幅度之差......
运用微波在片测试技术和IC—CAP模型提取软件对总栅宽为850p．mPHEMT器件进行了大信号建模，并利用此模型，采用分布式放大器与电抗匹配......
论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力，分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点。同时，根据已有研究成果，综述了CMOS工艺在......
用联合时频分析的方法对微带线中传输的瞬态信号的失真进行了分析,在时频二维平面上得到了信号波形的畸变、色散、功率谱的分布,克......
文章介绍了一种空间用Ka频段MHEMT三级MIC低噪声放大器的设计,放大器最小噪声系数为1.5dB,增益为30 dB,回波损耗10 dB。该低噪声放......
微波单片集成电路(MMIC)是无线通讯领域的核心技术,也是国际芯片设计领域中,公认的最难设计的集成电路品种.随着多媒体以及宽带无......
基于水下激光后向散射光信号检测技术，针对微弱高速瞬态光信号接收系统中所要求的宽频带、低噪声等关键技术指标，将MMIC技术和电磁兼......
