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绝缘层的击穿特性是影响半导体器件成品率和可靠性的重要工艺参数。通常的介质击穿测量,往往在第一次发生击穿后便因同衬底短路而......
用液晶显示、自愈合介质击穿和C-V测试等技术对V形槽壁上热生长二氧化硅膜进行了质量检测.检测结果表明,只要采用恰当的工艺,V形槽......
本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明......
本文介绍一种新颖的由八个PMOS高压器件组成的高压PMOSIC,描述了高压PMOS的器件设计和工艺设计,高压PMOS器件的物理模型,并给出了......
文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。
The article reports on the stud......
MOS器件栅氧化层,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的条件下生长的。本文已给出击穿电压(BV)与TCA克分子浓度的关系曲线。为了考察用......
本文从器件物理角度出发，深入研究了ＭＬＳ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ、界面、体内电荷、击穿等电学性能，并研制成功了一种新型的具有优良电性能的ＭＬＳ结构场效应......
该文初步综述了近年来关于MOS结构热生长SiO[*v2*]膜中电荷陷阱的实验方法和结果。作者推广了Meyer和Crook的结果，并且提出一个简单......
分析了聚酯薄膜电击穿可能的模型，如本征击穿模型和电一机械击穿模型，估算了两种模型下常用聚合物介质的临界击穿场强。实验研究了平......
分析了聚酯薄膜电击穿可能的模型,如本征击穿模型和电-机械击穿模型,估算了两种模型下常用聚合物介质的临界击穿场强。实验研究了......
