浸没式光刻相关论文
为满足浸没式光刻照明系统对掩模面高均匀性和不同照明模式的要求，对照明系统中的照明模式变换器进行了研究。采用衍射光学元件(Dif......
传统三维光刻矢量成像模型中将投影系统物方电磁场表示为二维形式，实现方式分为两种：采用局部坐标和忽略掩模衍射频谱的轴向分量。后......
针对现有LED太阳模拟器同时解决准直性、辐照度均匀性、光谱匹配性三大技术指标的难度较高的问题, 基于光电一体化二次光学设计, ......
随着浸没式步进扫描光刻机台ASML 1900Gi的引入,国内晶圆制造将逐步进入45,32纳米时代。对45纳米及更高端的技术节点而言,浸入式光......
为了追随摩尔定律的预言,集成电路光刻成像技术特征尺寸(CD)不断减小,电路制造对光刻成像精度的要求不断提升。为了提高分辨率,采......
浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径，可以将193nm光刻延伸到45nm节点以......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图.通过对浸没式光刻技术的再现和......
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势.浸没式光刻技术同......
在超大规模集成电路中，为了实现NA=1．35，波长193nm处分辨率达到45nm的目标，需要对影响光刻照明均匀性的误差源进行详细分析最终确定公......
利用Prolith 9.0软件计算了浸没式ArF光刻中杂散光、光线偏振态和几何像差对目标线宽为65 nm的L形图形成像质量和光刻性能的影响,......
浸没式光刻机，通过在最后一片投影物镜和硅片之间填充高折射率的液体，来提高光刻的分辨率。在光刻过程中，浸没流场作为光路系统的一部......
浸没式光刻是在干式光刻技术的基础上,将投影物镜与硅片之间填充上折射率较大的液体来代替原来的空气,使系统的分辨率得到提高的一......
不同的浸没单元结构会影响缝隙流场的流动状态,为了研究浸没单元结构参数对缝隙流场流动的影响规律,通过计算流体动力学（CFD）仿真,对......
介绍了65nm和45nm节点国际主流光刻机的最新研发进展,重点分析了目前提高光刻机性能的关键技术,讨论了目前各公司的主流机型及其性......
设计了一种非球面变焦光学系统,解决了NA 1.35浸没式光刻照明技术中内外相干因子调节、能量利用率不足、模块使用寿命短的问题,所......
集成电路(IC)已成为现今所有高科技领域的发展基础,集成电路的集成度按照摩尔定律的规律不断增长,而光刻技术是超大规模集成电路制......
浸没式光刻通过在投影物镜和硅片之间填充超纯水并使之形成稳定的浸没流场,从而提高光刻的分辨率。而浸没单元作为浸没式光刻的核......
浸没式光刻技术是在原干法光刻的基础上采用高折射率浸没液体取代原来空气的空间，从而提高光刻分辨率的一种先进技术．此项技术的实际......
简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节......
NA1.35浸没式光刻照明系统是超大规模集成电路的核心设备,为了实现从Ar F激光器发出的光束经过一系列模块传输后到达掩模面的能量......
浸没式光刻机浸没系统包含水处理系统(Pure Water System,PWS)、注液系统(Horizontal Compensation Water System,HCWS)、注气系统......
浸没式光刻机是目前市场上最主流的高端光刻机,它通过在投影光刻机投影物镜的最后一个镜片与硅片之间充满浸液来提高光刻的焦深和......
在浸没式光刻中，折射率大于1的液体被引入光刻机透镜和硅晶片之间的空隙内，这样光刻机的透镜便可以获得更大的数值孔径，从而提高了系......
信息技术的快速发展促使半导体制造技术逐渐提高，光刻分辨率按照摩尔定律的预言继续减小。通过移相掩膜、光学临近校正和其他分辨率......
<正>在半导体行业的早期,在实施缺陷检查时,会将晶圆置于光线明亮之处,查看表面上的灰尘和其它微粒,并计算散射中心的数量。上世纪......
阐述了光刻设备技术的的发展,描述了浸没式光刻技术、纳米压印光刻工艺设备基本原理、技术优势,并展望几种光刻技术的前景。......
浸没式光刻是当前45 nm以下集成电路（Integrated circuit,IC）生产线上唯一实际应用的技术。它通过在最后一片投影物镜和硅片之间填充......
