钨酸锆相关论文
目前,ZrW_2O_8的制备方法主要有固相反应法和湿化学法。以ZrO_2和WO_3为原料,采用固相法制备了ZrW2O_8。结果表明,ZrW_2O_8的含量......
文章设计选用低膨胀环氧树脂和固化剂为胶粘剂主体成分,研究了CTBN、核壳粒子增韧剂、超细钨酸锆填料对粘接性和膨胀性的影响,分析......
氰酸酯树脂(CE)是一种高性能热固性树脂,具有优异的介电性能、力学性能、热稳定性和加工性能等,在电子封装材料、印刷电路板、高性......
光纤Bragg光栅（FBG）凭借其体积小、重量轻、不受电磁干扰及插入损耗低等优良特性,成为了近几年发展最为迅速的光纤无源器件之一,被广......
立方AM2O8氧化物(A=Zr,Hf;M=Mo,W)是最有希望的一类负热膨胀材料。为开发这类材料,期望获得高质量AM2O8粉体,而传统固相合成法不能......
因零膨胀材料在工程上的潜在应用,近10多年来,对材料的热膨胀特性得以深入了解。本文对ZrW2O8的负热膨胀现象的研究进展进行了简要......
负热膨胀(negative thermal expansion,NTE)材料可作为填料制备可控热膨胀复合材料。高质量聚合物复合材料的研发面临诸多挑战,包......
采用纯ZrW2O8陶瓷靶材,以脉冲激光沉积法在石英基片上沉积并退火处理后制备了ZrW2O8薄膜。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和......
采用溶胶-凝胶技术结合退火工艺在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备ZrW2O8薄膜,并研究了退火温度、退火时间对薄膜的影响。利用X......
综合介绍了最近十多年,立方ZrW2O8结构类型固溶体Zr1-xMxW2-yM′yO8-z/2 (M:Hf4+,Ti4+,Sn4+,Al3+,In3+,Fe3+,Cr3+,Mn2+,RE3+;M′:M......
采用脉冲激光沉积法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究了不同衬底温度对薄膜结构组分......
在沥青路面使用过程中,温缩裂缝的产生会降低路面的使用性能并缩短路面的使用寿命。温缩裂缝产生的原因是由于冬季温度骤降时混合......
近年来新发现的三种新型负热膨胀氧化物材料为AMO,AMO和A(MO)类材料,在三种类型的负热膨胀材料中AMO类材料是各向同性的,最典型的......
“负热膨胀(NegativeThermalExpansion简称NTE)”材料具有与常规材料“热胀冷缩”相反的特性，近几年来引起了国内外材料界的高度重......
微电子工业的迅速发展，使得电子元器件散热量的大大增加，因而对封装材料的热性能提出了更高的要求。即需要较低的热膨胀系数（和Si或Ga......
碳纤维增强环氧树脂复合材料作为一种先进的结构材料,在航空航天等高新技术领域中得到了广泛的开发与应用。但由于CFRP复合材料中......
学位
随着航空航天技术的发展,对陶瓷材料的结构稳定性和安全可靠性的要求越来越高。结构陶瓷材料由于具有较高的热膨胀系数,在经历大的......
微电子工业的迅速发展,芯片集成度的迅速增加,导致其发热率的提高,使电子元器件的散热量大大增加,因此对封装材料的热性能提出了更......
负膨胀材料在开发具有低膨胀或零膨胀的复合材料方面有着重要的作用，钨酸锆陶瓷是十分优良的各向同性负膨胀材料，不仅有着大的负热膨......
负热膨胀材料是指在一定的温度范围内材料的线膨胀系数(αT)或体膨胀系数(βT)为负值(NTE)。根据材料的结晶学特征和负热膨胀性能......
ZrW2 O8 是新发现的由 0 3K至分解温度 1 0 5 0K都具有各向同性的负热膨胀化合物 ,但由于其分解温度和窄的热稳定范围反应合成相......
用高温固相反应法制备了一种负热膨胀性材料,经X射线衍射分析证明为单一物相ZrW2O8,进而确定了ZrW2O8为简单立方晶系.精化的晶胞参......
采用ZrW2O8陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在单晶硅基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜。用X射线衍射仪和热膨胀仪分析了靶材的成分和热膨胀性......
以H2WO4和ZrOC12·8H2O为原料，先采用共沉淀法制备出前驱物，再加热合成出了ZrW2O8粉末．用X射线衍射（XRD）对合成粉末进行物相分析，用......
介绍了模压浸渗复合法制备ZrW2Os/Al6013复合材料的工艺过程,并对该复合材料的组织和热膨胀性能进行了初步探讨.结果表明,复合材料......
用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了zrW20s薄膜，测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度，研究了薄膜的负热膨胀特性......
采用分步固相法合成ZrW2O8粉体，并制备出ZrW2O8／ZrO2（Al2O3）复合材料。所制备的复合材料呈近零膨胀特性，其热膨胀系数为0．48×10^-6K......
目前，ZrW2O8的制备方法主要有固相反应法和湿化学法。以ZrO2和WO3为原料，采用固相法制备了ZrW2O8。结果表明，ZrW2O8的含量随球磨时间......
为分析亲水性钨酸锆材料作为沥青混合料填料的合理性,基于表面能和粘附功理论,对不同填料和沥青的表面能参数及粘附功进行测试和计......
以仲钨酸铵[（NH4）10W12O41·5H2O]和氧氯化锆（ZrOCl2·8H2O）为原料，采取共沉淀法制备具有负热膨胀系数的钨酸锆（ZrW2O8）。采用X射......
采用固相反应法制备高纯立方相ZrW2O8粉体，并用γ-氨丙基三乙氧基硅烷处理ZrW2O8，得到表面硅烷化的改性ZrW2O8。然后采用模压法制备......
以分析纯ZrO2和WO3为原料，通过原位反应法成功制备了ZrO2-ZrW2O8复合材料，研究了其热膨胀性能，并探讨了烧结助剂AJ203对其致密度的影......
采用化学镀铜的方法在陶瓷颗粒表面沉积不同厚度的铜颗粒，对陶瓷颗粒进行表面修饰，在陶瓷颗粒与金属基体间形成过渡层以缓解制备过程......
ZrW2O8是由O．3K至分解温度1050K都具有各向同性的负热膨胀化合物，但由于其窄的热稳定范围反应合成相当困难。本文综述了该材料的负热......
利用分析纯氯氧化锆(ZrOCl2·8H2O)、钨酸(H2WO4)、氨水(NH3·H2O)作为原材料制备了ZrW2O8前驱体.通过对前驱体XRD,SEM和T......
采用ZrW2O8陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在不同基片上沉积制备ZrW2O8薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪和扫描电子显微镜（SEM）研究靶材性能和退......
在单晶硅基片上用磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜。用X射线衍射分析薄膜的物相组成,用原子力显微镜和扫描电镜对薄膜的表面形貌......
世界上的大多数物质都具有热胀冷缩的特性，但也存在着另一类物质，对它们加热时会发生热收缩现象．这类物质称为负热膨胀物质(negative ......
江苏大学材料学院以二氧化锆（ZrO2）和三氧化钨（WO3）为原料，采用化学固相分步法制备了钨酸锆（ZrW2O8）粉体。具体工艺过程为：将球磨好的ZrO2......
分别采用摩尔比n（WO3）：n（ZrO2）=2.8：1复合陶瓷靶材、纯ZrW2O8陶瓷靶材以及WO3和ZrO2双靶，以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备ZrW2O8薄......
采用脉冲激光沉积法在石英基片上沉积制备了ZrW208薄膜．用x射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究了不同衬底温度对薄膜结构组分、表......
ZrW2O8是在-273~780℃都具有各向同性的负热膨胀化合物,但由于其分解温度（750℃下分解）和窄的热稳定范围（1105~1231℃）,反应合成相当困......
ZrW2O8是新发现的由0.3K至分解温度1050K都具有各向同性的负热膨胀化合物，但由于其分解温度和窄的热稳定范围反应合成相当困难。本......
采用不同方法制备了一系列具有一定晶相结构的水合ZrO2,考察了制备方法对水合ZrO2晶化方式及Pt/WO3-ZrO2催化剂催化正己烷异构化活......
在不同的气氛下，利用射频磁控溅射法在石英基片和硅片上制备了ZrW2O8薄膜。利用台阶仪和划痕仪测量了溅射薄膜的厚度和结合力，利用X......
