亚阈值斜率相关论文
随着CMOS集成电路工艺已经来到5nm技术节点,传统的Si基MOSFET的特征尺寸和器件结构已经达到了它们的理论物理极限,从而限制了CMOS......
随着半导体器件的特征尺寸的不断等比例缩小,由其构成的芯片尺寸也在不断减小,但是随之而来的是急剧增长的功耗密度。然而,传统的M......
提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem......
氮化镓(GaN)材料在禁带宽度、击穿电场强度、导热系数和电子饱和漂移速度等方面均大大优于前两代半导体材料,因而其在高温、高频率......
学位
隧穿场效应晶体管(TFET)是作为传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的潜在替代者所提出来的,其工作机制为带带隧穿,这与MO......
由于传统的金属-氧化物-半导体场效应器件在低功耗电路中存在电压限制，人们开始将目光投向新型的低功耗器件。其中，隧穿场效应器件由......
随着传统体硅器件的特征尺寸不断缩小，短沟效应以及亚阈退化等次级效应对器件性能的进一步提升在物理上构成了障碍。近年来，为了使特......
对一种新型半绝缘SOIMOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道......
基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field eff......
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的......
为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管。实......
晶体管是电子设备的关键器件,对电子设备的性能起到很大的作用.现有的晶体管主要是由引入掺杂原子到半导体材料中形成半导体结构成......
提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性......
对环栅纳米线结构的隧穿场效应晶体管进行建模分析，给出电流解析模型，证明隧穿场效应管有良好的亚阈特性。研究发现，环栅纳米线隧穿场......
提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem......
根据摩尔定律（集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍），集成电路的基本单元MOSFET的尺寸会越来越小，随之而来不仅在制......
随着环保意识以及节能需求的不断增加,功率器件的市场越来越大,沟槽型功率器件由于可以在有效的面积上形成较低的导通电阻,得到了......
2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS......
集成电路(IC)技术遵循“Moore定律”的发展进入了纳米尺度，来自短沟道效应、寄生效应以及量子隧穿等问题的挑战使得传统的微电子器......
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜......
随着摩尔定律的进程日趋放缓,维持了数十年高速发展的硅基集成电路面临着新挑战,随着器件结点逐步降低至5nm,传统硅基器件尺寸可能......
在传统体硅技术中，随着器件特征尺寸的减小，器件内部以及器件之间通过衬底的相互作用变得越来越严重，随之产生的一些寄生效应严重地影......
