芯片互连相关论文
随着光电子器件向着小型化、高速化，集成化的趋势发展，用于芯片互连的传统引线键合方式面临着越来越大的挑战。而采用芯片的倒装连接......
随着功率半导体器件芯片工作温度的不断提高,对高温芯片互连材料的需求愈加迫切。纳米铜膏作为一种可替代纳米银膏的新型芯片互连......
随着电子产品朝高集成度、小型化的方向发展,电子产品中的芯片所需要承受的电流密度越来越高,导致芯片的发热量随之增加,其服役温......
摘要：热超声引线键合是微电子封装中实现芯片互连的主要方式之一。引线成形是引线键合的关键技术之一,它是通过劈刀的运动将直径几......
学位
片上网络（Network-on-Chip,NoC）结合3DIC技术形成3D NoC，通过硅通孔技术（Tthrough Silicon Via,TSV）实现垂直方向各层堆叠芯片间的互连，......
金-金热压工艺在键合过程中会产生芯片开裂(IC cracking)，为了从根本上解决此问题，利用ANSYS软件，运用有限元模拟方法研究了金-金热压......
对VLSI 芯片互连电路测试过程数学描述模型及测试原理进行了研究,在此基础上提出了一种基于边界扫描技术的VLSI 芯片互连电路测试......
从改善不同类型IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发,设计了几例芯片间接口(互连)用CMOS/BiCMOS驱动电路,并提出了采用0.5 μm BiC......
利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对......
介绍了微波器件ＭＰＴ（微电子组装）技术的发展过程和芯片互连技术，多层基板技术，三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。......
随着集成电路生产工艺的进展,互连线在集成电路设计中的影响越来越大.为了减小互连线的影响,通常在芯片互连中插入缓冲器,但这样做......
本文对有发展前途的三维（3D）技术平台进行简要回顾，说明采用校准型晶圆片压焊技术的晶圆片级三维（3D）集成。重点强调了胶粘剂晶圆片压焊......
电子封装概述电子封装的发展过程任何商品都是以精美的外包装与大众见面的，半导体器件也不例外。自从１９４７年世界上第一只半导体晶体管问......
介绍了所考察的ＩＢＭ等公司的概况，描述了考察到的氧化铝多层陶瓷技术、带光窗光电器件外壳制造技术、引线框架制作技术、Ｃ４技术和金属热沉......
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了......
超声键合是实现集成电路封装中芯片互连的关键技术之一。对于超声键合过程焊点形成机理以及超声在键合过程中发挥的作用的正确理解......
在高端云服务器系统中,计算节点间的互连芯片通过Cache一致性协议将多计算节点互连组成分布式和共享内存空间系统,对接口传输速率......
